Samsung 8Gb DDR5 5600Mhz 1.1V

La memoria Samsung M323R1GB4DB0-CWM es una solución avanzada diseñada para optimizar el rendimiento de sistemas de escritorio y estaciones de trabajo. Con una capacidad de 8 GB y tecnología DDR5, ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps, asegurando una transferencia de datos rápida y eficiente. Su diseño Unbuffered DIMM (UDIMM) garantiza una latencia reducida, ideal para aplicaciones que requieren alta velocidad de respuesta.

Este módulo de memoria opera a un voltaje de 1.1 V, lo que contribuye a una mayor eficiencia energética y menor generación de calor, prolongando la vida útil del hardware. La configuración de 1R x 16 (Single Rank x16) permite una gestión eficiente de los datos, mejorando la estabilidad y el rendimiento general del sistema.

La Samsung M323R1GB4DB0-CWM es compatible con una amplia gama de placas base que soportan DDR5, facilitando su integración en sistemas existentes o nuevos. Su diseño sin búfer la hace adecuada para aplicaciones que requieren acceso rápido a la memoria, como juegos, edición de video y tareas de diseño gráfico.

Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu sistema, la Samsung M323R1GB4DB0-CWM es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu equipo con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.

Principales Características...

* Capacidad de 8 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
* Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* Unbuffered DIMM (UDIMM): Garantiza una latencia reducida y acceso rápido a la memoria.
* Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
* Configuración 1R x 16: Single Rank con organización x16 para una gestión eficiente de los datos.
* Latencia CAS CL40: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
* Compatibilidad amplia: Compatible con placas base que soportan DDR5, facilitando su integración.