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PNY 16Gb So-DIMM DDR5 5600Mhz 1.1V BULK
- Modelo: MN16GSD55600-BLK.
- Tipo de Memoria: DDR5 So-DIMM.
- Capacidad: 16GB.
- Frecuencia: 5600MHz.
- Latencia CAS: CL46.
- Voltaje: 1.1V.
- Configuración: Módulo único.
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La memoria PNY MN16GSD55600-BLK de 16GB DDR5 So-DIMM está diseñada para ofrecer un rendimiento sólido y eficiente en portátiles y equipos compactos de última generación. Su frecuencia de 5600MHz permite una respuesta rápida del sistema y una experiencia fluida incluso en tareas exigentes.
Gracias a la tecnología DDR5, este módulo proporciona un mayor ancho de banda y una mejora significativa en la eficiencia energética frente a generaciones anteriores, funcionando a tan solo 1.1V. Esto contribuye a reducir el consumo y la generación de calor, algo clave en dispositivos móviles.
La latencia CL46 garantiza un equilibrio óptimo entre velocidad y estabilidad, asegurando un funcionamiento fiable tanto en entornos profesionales como en el uso diario.
Al elegir la memoria PNY MN16GSD55600-BLK, estás apostando por una solución moderna, eficiente y compatible con las plataformas actuales, ideal para ampliar el rendimiento de tu portátil o sistema compacto sin comprometer la eficiencia.
Principales características...
* Modelo: MN16GSD55600-BLK.
* Tipo de Memoria: DDR5 So-DIMM.
* Capacidad: 16GB.
* Frecuencia: 5600MHz.
* Latencia CAS: CL46.
* Voltaje: 1.1V.
* Configuración de módulo único.
| Capacidad | 16 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | So-DIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | Formato BULK, bajo consumo energético |
La memoria PNY MN16GSD55600-BLK de 16GB DDR5 So-DIMM está diseñada para ofrecer un rendimiento sólido y eficiente en portátiles y equipos compactos de última generación. Su frecuencia de 5600MHz permite una respuesta rápida del sistema y una experiencia fluida incluso en tareas exigentes.
Gracias a la tecnología DDR5, este módulo proporciona un mayor ancho de banda y una mejora significativa en la eficiencia energética frente a generaciones anteriores, funcionando a tan solo 1.1V. Esto contribuye a reducir el consumo y la generación de calor, algo clave en dispositivos móviles.
La latencia CL46 garantiza un equilibrio óptimo entre velocidad y estabilidad, asegurando un funcionamiento fiable tanto en entornos profesionales como en el uso diario.
Al elegir la memoria PNY MN16GSD55600-BLK, estás apostando por una solución moderna, eficiente y compatible con las plataformas actuales, ideal para ampliar el rendimiento de tu portátil o sistema compacto sin comprometer la eficiencia.
Principales características...
* Modelo: MN16GSD55600-BLK.
* Tipo de Memoria: DDR5 So-DIMM.
* Capacidad: 16GB.
* Frecuencia: 5600MHz.
* Latencia CAS: CL46.
* Voltaje: 1.1V.
* Configuración de módulo único.
| Capacidad | 16 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | So-DIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | Formato BULK, bajo consumo energético |
