SSD 1Tb Samsung 990 Pro NVMe M.2 Type 2280

SSD 1Tb Samsung 990 Pro NVMe M.2 Type 2280

Samsung
  • Capacidad 1,000GB
  • Formato M.2 (2280)
  • Interfaz PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
  • Lectura secuencial hasta 7,450 MB/s
  • Escritura secuencial hasta to 6,900 MB

P/N: MZ-V9P1T0BW - EAN/UPC: 8806094215021

114,47 € Sin IVA
138,51 € Con IVA
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pago seguro

Descubre el potente rendimiento con PCIe 4.0 y experimenta velocidades de vértigo para vencer al contrincante. La regulación térmica del controlador Samsung ofrece una alta eficiencia energética manteniendo el máximo rendimiento y altas velocidades.

Principales características...

* Capacidad 1,000GB.
* Formato M.2 (2280.
* Interfaz PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0.
* Lectura secuencial hasta 7,450 MB/s.
* Escritura secuencial hasta to 6,900 MB.

CARACTERÍSTICAS
Factor de forma de disco SSD M.2
SDD, capacidad 1000 GB
Interfaz PCI Express 4.0
Tipo de memoria V-NAND MLC
NVMe Si
Versión NVMe 2.0
Componente para PC
Encriptación de hardware Si
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Velocidad de lectura 7450 MB/s
Velocidad de escritura 6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB) 1200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB) 1550000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express x4
Función DevSleep Si
Soporte TRIM Si
Memoria caché DDR externa Si
Cantidad de memoria caché DDR externa 1024 MB
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
CONTROL DE ENERGÍA
Voltaje de operación 3,3 V
Consumo de energía (max) 7,8 W
Consumo de energía (promedio) 5,4 W
CONDICIONES AMBIENTALES
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Máxima temperatura 70 °C
Vibración operativa 1500 G
PESO Y DIMENSIONES
Ancho 80 mm
Profundidad 2,3 mm
Altura 22 mm
Peso 9 g

Descubre el potente rendimiento con PCIe 4.0 y experimenta velocidades de vértigo para vencer al contrincante. La regulación térmica del controlador Samsung ofrece una alta eficiencia energética manteniendo el máximo rendimiento y altas velocidades.

Principales características...

* Capacidad 1,000GB.
* Formato M.2 (2280.
* Interfaz PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0.
* Lectura secuencial hasta 7,450 MB/s.
* Escritura secuencial hasta to 6,900 MB.

CARACTERÍSTICAS
Factor de forma de disco SSD M.2
SDD, capacidad 1000 GB
Interfaz PCI Express 4.0
Tipo de memoria V-NAND MLC
NVMe Si
Versión NVMe 2.0
Componente para PC
Encriptación de hardware Si
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Velocidad de lectura 7450 MB/s
Velocidad de escritura 6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB) 1200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB) 1550000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express x4
Función DevSleep Si
Soporte TRIM Si
Memoria caché DDR externa Si
Cantidad de memoria caché DDR externa 1024 MB
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
CONTROL DE ENERGÍA
Voltaje de operación 3,3 V
Consumo de energía (max) 7,8 W
Consumo de energía (promedio) 5,4 W
CONDICIONES AMBIENTALES
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Máxima temperatura 70 °C
Vibración operativa 1500 G
PESO Y DIMENSIONES
Ancho 80 mm
Profundidad 2,3 mm
Altura 22 mm
Peso 9 g


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