Samsung 8Gb So-DIMM DDR4 3200Mhz 1.2V

Samsung 8Gb So-DIMM DDR4 3200Mhz 1.2V

Samsung
  • Capacidad: 8GB.
  • Velocidad: 3200 MHz.
  • Voltaje: 1.2V.
  • Latencia CAS: 21.
  • Tipo de Memoria: DDR4 SO-DIMM.
  • Organización: 1Rx8.
  • Pines: 260.

P/N: M471A1K43EB1-CWE - EAN/UPC: 5715063113233

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Tipo de memoria
Frecuencia memoria
Voltaje
ECC
Latencia

La memoria Samsung M471A1K43EB1-CWE es un módulo SO-DIMM DDR4 de 8GB diseñado para laptops y otros dispositivos compactos. Funciona a una velocidad de 3200 MHz, ofreciendo un rendimiento sólido para tareas cotidianas y aplicaciones más exigentes. Su tamaño compacto y diseño eficiente la convierten en una excelente opción para actualizar y mejorar el rendimiento de tu dispositivo sin ocupar mucho espacio.

Este módulo de memoria se destaca por su tecnología de bajo voltaje, operando a 1.2V, lo que ayuda a reducir el consumo de energía y aumentar la eficiencia del sistema. Además, cuenta con una latencia CAS de 21, asegurando una respuesta rápida y eficiente en diversas aplicaciones. Su construcción en base a estándares JEDEC garantiza la compatibilidad con una amplia gama de dispositivos y plataformas.

Diseñada para ofrecer un rendimiento confiable y estable, esta memoria de Samsung utiliza una organización de 1Rx8 y está equipada con 8 chips DRAM de 1Gx8, lo que contribuye a su capacidad de 8GB. Es una memoria no ECC y no búfer, lo que significa que está optimizada para aplicaciones que no requieren corrección de errores, proporcionando así un rendimiento rápido y sin complicaciones para usuarios domésticos y profesionales.

No dejes que tu dispositivo quede rezagado. Con la memoria SO-DIMM DDR4 de Samsung, puedes asegurar una mejora significativa en la velocidad y capacidad de respuesta de tu laptop, permitiéndote manejar múltiples tareas y aplicaciones demandantes con facilidad. ¡Mejora tu sistema hoy mismo y experimenta el poder de un rendimiento avanzado!

Principales Características...

* Capacidad: 8GB.
* Velocidad: 3200 MHz.
* Voltaje: 1.2V.
* Latencia CAS: 21.
* Tipo de Memoria: DDR4 SO-DIMM.
* Organización: 1Rx8.
* Pines: 260.

Modelo M471A1K43EB1-CWE
Capacidad 8GB
Tipo de Memoria DDR4
Velocidad 3200 MHz
Voltaje 1.2V
Latencia CAS 21
Organización 1Rx8
Pines 260-pin
Tipo de Dimensión SO-DIMM
Configuración DRAM (1Gx8) x 8
Tipo de Error Non-ECC
Estándar JEDEC

La memoria Samsung M471A1K43EB1-CWE es un módulo SO-DIMM DDR4 de 8GB diseñado para laptops y otros dispositivos compactos. Funciona a una velocidad de 3200 MHz, ofreciendo un rendimiento sólido para tareas cotidianas y aplicaciones más exigentes. Su tamaño compacto y diseño eficiente la convierten en una excelente opción para actualizar y mejorar el rendimiento de tu dispositivo sin ocupar mucho espacio.

Este módulo de memoria se destaca por su tecnología de bajo voltaje, operando a 1.2V, lo que ayuda a reducir el consumo de energía y aumentar la eficiencia del sistema. Además, cuenta con una latencia CAS de 21, asegurando una respuesta rápida y eficiente en diversas aplicaciones. Su construcción en base a estándares JEDEC garantiza la compatibilidad con una amplia gama de dispositivos y plataformas.

Diseñada para ofrecer un rendimiento confiable y estable, esta memoria de Samsung utiliza una organización de 1Rx8 y está equipada con 8 chips DRAM de 1Gx8, lo que contribuye a su capacidad de 8GB. Es una memoria no ECC y no búfer, lo que significa que está optimizada para aplicaciones que no requieren corrección de errores, proporcionando así un rendimiento rápido y sin complicaciones para usuarios domésticos y profesionales.

No dejes que tu dispositivo quede rezagado. Con la memoria SO-DIMM DDR4 de Samsung, puedes asegurar una mejora significativa en la velocidad y capacidad de respuesta de tu laptop, permitiéndote manejar múltiples tareas y aplicaciones demandantes con facilidad. ¡Mejora tu sistema hoy mismo y experimenta el poder de un rendimiento avanzado!

Principales Características...

* Capacidad: 8GB.
* Velocidad: 3200 MHz.
* Voltaje: 1.2V.
* Latencia CAS: 21.
* Tipo de Memoria: DDR4 SO-DIMM.
* Organización: 1Rx8.
* Pines: 260.

Modelo M471A1K43EB1-CWE
Capacidad 8GB
Tipo de Memoria DDR4
Velocidad 3200 MHz
Voltaje 1.2V
Latencia CAS 21
Organización 1Rx8
Pines 260-pin
Tipo de Dimensión SO-DIMM
Configuración DRAM (1Gx8) x 8
Tipo de Error Non-ECC
Estándar JEDEC


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