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Samsung 64Gb DDR4 2133Mhz 1.2V ECC LRDIMM
- Modelo: M386A8K40BMB-CPB0Q.
- Tipo de Memoria: DDR4 LRDIMM.
- Capacidad: 64Gb.
- Frecuencia: 2133Mhz.
- ECC (Error-Correcting Code): Sí.
- Configuración Registrada: Sí (Load Reduced).
- Latencia CAS: 15
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| Tamaño de memoria | |
| Tipo de memoria | |
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| Voltaje | |
| Latencia | |
| ECC |
La memoria Samsung M386A8K40BMB-CPB0Q está diseñada específicamente para entornos de servidor que requieren grandes capacidades de memoria con fiabilidad y eficiencia energética. Con una densidad de 64GB y una velocidad de 2133MHz, este módulo DDR4 LRDIMM permite ejecutar cargas de trabajo intensivas como bases de datos, virtualización y procesamiento de datos en tiempo real.
Gracias a su configuración 4R x 4 y tecnología ECC integrada, ofrece una sólida protección contra errores, garantizando la integridad de los datos en aplicaciones críticas. Su arquitectura LRDIMM (Load-Reduced DIMM) mejora la señalización y escalabilidad, permitiendo la instalación de más módulos por canal en comparación con RDIMM tradicionales.
El módulo opera a un voltaje eficiente de 1.2V, lo que contribuye a reducir el consumo energético en centros de datos y servidores de alto rendimiento. Su construcción basada en 36 componentes con organización (DDP4G x 4) maximiza la estabilidad y fiabilidad en uso continuo.
Aunque el modelo M386A8K40BMB-CPB0Q ya está en estado EOL (fin de vida útil), sigue siendo una opción sólida para ampliar sistemas existentes que requieran este tipo de módulo. Ideal para mantener la compatibilidad y continuidad operativa sin necesidad de actualizar toda la plataforma.
Principales características...
* Modelo: M386A8K40BMB-CPB0Q.
* Tipo de Memoria: DDR4 LRDIMM.
* Capacidad: 64Gb.
* Frecuencia: 2133Mhz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí (LRDIMM).
* Latencia CAS: 15
| Capacidad | 64 GB |
| Tipo | DDR4 |
| Frecuencia | 2133 MHz |
| Tipo de módulo | LRDIMM |
| Latencia CAS | CL15 |
| Voltaje | 1.2V |
| Características | ECC, 4R x 4, 288 pines, (DDP4G x 4) x 36, para servidores, estado EOL |
La memoria Samsung M386A8K40BMB-CPB0Q está diseñada específicamente para entornos de servidor que requieren grandes capacidades de memoria con fiabilidad y eficiencia energética. Con una densidad de 64GB y una velocidad de 2133MHz, este módulo DDR4 LRDIMM permite ejecutar cargas de trabajo intensivas como bases de datos, virtualización y procesamiento de datos en tiempo real.
Gracias a su configuración 4R x 4 y tecnología ECC integrada, ofrece una sólida protección contra errores, garantizando la integridad de los datos en aplicaciones críticas. Su arquitectura LRDIMM (Load-Reduced DIMM) mejora la señalización y escalabilidad, permitiendo la instalación de más módulos por canal en comparación con RDIMM tradicionales.
El módulo opera a un voltaje eficiente de 1.2V, lo que contribuye a reducir el consumo energético en centros de datos y servidores de alto rendimiento. Su construcción basada en 36 componentes con organización (DDP4G x 4) maximiza la estabilidad y fiabilidad en uso continuo.
Aunque el modelo M386A8K40BMB-CPB0Q ya está en estado EOL (fin de vida útil), sigue siendo una opción sólida para ampliar sistemas existentes que requieran este tipo de módulo. Ideal para mantener la compatibilidad y continuidad operativa sin necesidad de actualizar toda la plataforma.
Principales características...
* Modelo: M386A8K40BMB-CPB0Q.
* Tipo de Memoria: DDR4 LRDIMM.
* Capacidad: 64Gb.
* Frecuencia: 2133Mhz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí (LRDIMM).
* Latencia CAS: 15
| Capacidad | 64 GB |
| Tipo | DDR4 |
| Frecuencia | 2133 MHz |
| Tipo de módulo | LRDIMM |
| Latencia CAS | CL15 |
| Voltaje | 1.2V |
| Características | ECC, 4R x 4, 288 pines, (DDP4G x 4) x 36, para servidores, estado EOL |
