SSD 2Tb Samsung 970 EVO Plus NVMe M.2 Type 2280

SSD 2Tb Samsung 970 EVO Plus NVMe M.2 Type 2280

Samsung
  • 2 TB de capacidad.
  • PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3.
  • Velocidad de lectura: hasta 3,500 MB / s.
  • Velocidad de escritura: hasta 3.300 MB / s.
  • Peso: Máx. 8.0 g.
  • Confiabilidad sin igual.

P/N: MZ-V7S2T0BW - EAN/UPC: 8801643628093

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201,40 € Con IVA
Canon Digital no incluido: 3,00 € + Impuestos
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asegurado
100%
pago seguro
Más rápido que el 970 EVO, el 970 EVO Plus funciona con la última tecnología V-NAND y la optimización del firmware. Maximiza el potencial del ancho de banda de NVMe para una computación imbatible. En capacidades de hasta 2 TB, con una confiabilidad de hasta 1.200 TBW.

El modelo 970 EVO Plus cuenta con una capacidad de hasta 2 TB en un formato compacto M.2. (2280), ofreciéndote un increíble almacenamiento en muy poco espacio para que puedes utilizar otros componentes. Toda la capacidad que necesitas para hacer más y llegar más lejos.

Un nuevo estándar en rendimiento y durabilidad. Consigue hasta 1.200 TBW* con una garantía limitada de 5 años, consiguiendo así un rendimiento un 50% superior al modelo anterior, y además con la última tecnología V-NAND.

Consigue un nivel de fiabilidad sin precedentes. La avanzada controladora con revestimiento de níquel, junto con su disipador, consiguen una mejor disipación del calor. Además, la tecnología Dynamic Thermal Guard controla de forma automática la temperatura de la unidad, minimizando así los descensos en el rendimiento ocasionados por el sobrecalentamiento.
 

Principales Características...

* Capacidad: 2TB.
* Factor de forma de disco SSD: M.2.
* Velocidad de lectura: 3500 MB/s.
* Velocidad de escritura: 3300 MB/s.
Características Generales
Capacidad 2.000 Gb
Formato M.2 (2280)
Interface PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
Dimensiones 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
Peso Max. 8 gr
Memoria de almacenamiento Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controladora Samsung Phoenix Controller
Memoria Caché Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
Características Especiales
Soporte TRIM Si
Soporte S.M.A.R.T. Si
GC Auto Garbage Collection Algorithm
Cifrado AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
Soporte WWN No
Soporte Modo Suspensión Si
Rendimiento
Lectura secuencial Hasta 3.500 Mb/s
Escritura secuencial Hasta 3.300 Mb/s
Lectura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 620.000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 560.000 IOPS
Lectura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 19.000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 62.000 IOPS
Condiciones Ambientales
Consumo de energía promedio *Average: 6 W
*Maximum: 9 W
Voltaje 3.3 V ± 5 %
MTBF 1.5 M de horas
Temperatura operativa 0 - 70 ℃
Golpes 1,500 G & 0.5 ms
Más rápido que el 970 EVO, el 970 EVO Plus funciona con la última tecnología V-NAND y la optimización del firmware. Maximiza el potencial del ancho de banda de NVMe para una computación imbatible. En capacidades de hasta 2 TB, con una confiabilidad de hasta 1.200 TBW.

El modelo 970 EVO Plus cuenta con una capacidad de hasta 2 TB en un formato compacto M.2. (2280), ofreciéndote un increíble almacenamiento en muy poco espacio para que puedes utilizar otros componentes. Toda la capacidad que necesitas para hacer más y llegar más lejos.

Un nuevo estándar en rendimiento y durabilidad. Consigue hasta 1.200 TBW* con una garantía limitada de 5 años, consiguiendo así un rendimiento un 50% superior al modelo anterior, y además con la última tecnología V-NAND.

Consigue un nivel de fiabilidad sin precedentes. La avanzada controladora con revestimiento de níquel, junto con su disipador, consiguen una mejor disipación del calor. Además, la tecnología Dynamic Thermal Guard controla de forma automática la temperatura de la unidad, minimizando así los descensos en el rendimiento ocasionados por el sobrecalentamiento.
 

Principales Características...

* Capacidad: 2TB.
* Factor de forma de disco SSD: M.2.
* Velocidad de lectura: 3500 MB/s.
* Velocidad de escritura: 3300 MB/s.
Características Generales
Capacidad 2.000 Gb
Formato M.2 (2280)
Interface PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
Dimensiones 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
Peso Max. 8 gr
Memoria de almacenamiento Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controladora Samsung Phoenix Controller
Memoria Caché Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
Características Especiales
Soporte TRIM Si
Soporte S.M.A.R.T. Si
GC Auto Garbage Collection Algorithm
Cifrado AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
Soporte WWN No
Soporte Modo Suspensión Si
Rendimiento
Lectura secuencial Hasta 3.500 Mb/s
Escritura secuencial Hasta 3.300 Mb/s
Lectura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 620.000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 560.000 IOPS
Lectura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 19.000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 62.000 IOPS
Condiciones Ambientales
Consumo de energía promedio *Average: 6 W
*Maximum: 9 W
Voltaje 3.3 V ± 5 %
MTBF 1.5 M de horas
Temperatura operativa 0 - 70 ℃
Golpes 1,500 G & 0.5 ms


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