SSD 1Tb Corsair MP400 V.2 NVMe M.2 Type 2280

SSD 1Tb Corsair MP400 V.2 NVMe M.2 Type 2280

Corsair
  • Factor de forma de disco SSD: M.2
  • SDD, capacidad: 1000 GB
  • Versión NVMe: 1.3
  • Interfaz: PCI Express 3.0
  • Tipo de memoria: 3D2 QLC

P/N: CSSD-F1000GBMP400R2 - EAN/UPC: 0840006644750

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El SSD CORSAIR MP400 Gen3 PCIe x4 NVMe M.2 ofrece hasta 3400 MB/s de lectura secuencial y hasta 3000 MB/s de velocidad de escritura secuencial, utilizando memoria 3D QLC NAND de alta capacidad.

Rendimiento ultra rápido. Experimente velocidades de datos de hasta 3400 MB / s de lectura secuencial y de 3000 MB / s de escritura secuencial, muchas veces más rápidas que las SSD SATA tradicionales. Interfaz Gen3 PCIE x4 NVMe. Garantiza una amplia compatibilidad y un rendimiento de gran ancho de banda.   NAND QLC 3D de alta densidad. Ofrece un valor aún mejor que el TLC NAND de la generación anterior, ya que almacena más datos en la misma cantidad de espacio físico. Gran resistencia. El MP400 almacena de manera confiable sus datos a través de años de uso con una resistencia de hasta 1,440 TB de escritura. ¡Eso es más de 100 años de uso típico!   Factor de forma compacto M.2 2280. El tamaño ultracompacto M.2 2280 se adapta directamente a su computadora portátil o placa base sin cables ni conectores adicionales.

Principales Características...

* Factor de forma de disco SSD: M.2.
* SDD, capacidad: 1000 GB.
* Versión NVMe: 1.3.
* Interfaz: PCI Express 3.0.
* Tipo de memoria: 3D2 QLC.

Capacidad SSD sin formato 1000 GB
Soporte SSD Smart
Peso 0,008
Interfaz SSD PCIe Gen 3.0 x4
CDM de lectura secuencial máxima de SSD Hasta 3480 MB / s
CDM de escritura secuencial máxima de SSD Hasta 1880 MB / s
IOMeter QD32 de escritura aleatoria máxima Hasta 470K IOPS
Lectura aleatoria máxima QD32 IOMeter Hasta 175 K IOPS
Consumo de energía activo 4.0W promedio
Factor de forma M.2 2280
Dimensiones 80 mm x 23 mm x 15 mm
Consumidor de aplicaciones Cliente
Peso 0,008
Tecnología NAND 3D QLC NAND
Voltaje 3,3 V, +/- 5%
Resistencia 200 TBW
TBW 200
MTBF 1.800.000 horas
DEVSLP PS4: <2 mW
Cifrado Cifrado AES de 256 bits
Temperatura de almacenamiento -40 ° C hasta + 85 ° C
Temperatura de funcionamiento SSD 0 ° C hasta + 70 ° C
Choque SSD 1500 G
Humedad de almacenamiento 93% de humedad relativa (40 ° C)
Humedad de funcionamiento 90% de humedad relativa (40 ° C)
Vibración 20 Hz ~ 80 Hz / 1,52 mm, 80 Hz ~ 2000 Hz / 20 G

El SSD CORSAIR MP400 Gen3 PCIe x4 NVMe M.2 ofrece hasta 3400 MB/s de lectura secuencial y hasta 3000 MB/s de velocidad de escritura secuencial, utilizando memoria 3D QLC NAND de alta capacidad.

Rendimiento ultra rápido. Experimente velocidades de datos de hasta 3400 MB / s de lectura secuencial y de 3000 MB / s de escritura secuencial, muchas veces más rápidas que las SSD SATA tradicionales. Interfaz Gen3 PCIE x4 NVMe. Garantiza una amplia compatibilidad y un rendimiento de gran ancho de banda.   NAND QLC 3D de alta densidad. Ofrece un valor aún mejor que el TLC NAND de la generación anterior, ya que almacena más datos en la misma cantidad de espacio físico. Gran resistencia. El MP400 almacena de manera confiable sus datos a través de años de uso con una resistencia de hasta 1,440 TB de escritura. ¡Eso es más de 100 años de uso típico!   Factor de forma compacto M.2 2280. El tamaño ultracompacto M.2 2280 se adapta directamente a su computadora portátil o placa base sin cables ni conectores adicionales.

Principales Características...

* Factor de forma de disco SSD: M.2.
* SDD, capacidad: 1000 GB.
* Versión NVMe: 1.3.
* Interfaz: PCI Express 3.0.
* Tipo de memoria: 3D2 QLC.

Capacidad SSD sin formato 1000 GB
Soporte SSD Smart
Peso 0,008
Interfaz SSD PCIe Gen 3.0 x4
CDM de lectura secuencial máxima de SSD Hasta 3480 MB / s
CDM de escritura secuencial máxima de SSD Hasta 1880 MB / s
IOMeter QD32 de escritura aleatoria máxima Hasta 470K IOPS
Lectura aleatoria máxima QD32 IOMeter Hasta 175 K IOPS
Consumo de energía activo 4.0W promedio
Factor de forma M.2 2280
Dimensiones 80 mm x 23 mm x 15 mm
Consumidor de aplicaciones Cliente
Peso 0,008
Tecnología NAND 3D QLC NAND
Voltaje 3,3 V, +/- 5%
Resistencia 200 TBW
TBW 200
MTBF 1.800.000 horas
DEVSLP PS4: <2 mW
Cifrado Cifrado AES de 256 bits
Temperatura de almacenamiento -40 ° C hasta + 85 ° C
Temperatura de funcionamiento SSD 0 ° C hasta + 70 ° C
Choque SSD 1500 G
Humedad de almacenamiento 93% de humedad relativa (40 ° C)
Humedad de funcionamiento 90% de humedad relativa (40 ° C)
Vibración 20 Hz ~ 80 Hz / 1,52 mm, 80 Hz ~ 2000 Hz / 20 G


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