English 
Samsung 96Gb DDR5 5600Mhz 1.1V ECC
- Capacidad de 96 GB: Amplia capacidad para manejar cargas de trabajo intensivas.
- Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
- Registered DIMM (RDIMM): Mejora la estabilidad y fiabilidad del sistema.
- Corrección de errores ECC: Detecta y corrige errores de bits, asegurando la integridad de los datos.
- Configuración 2R x 4: Doble rango con organización x4 para mayor eficiencia.
- Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente.
- Compatibilidad con 2DPC: Soporta hasta 2 módulos por canal, ofreciendo flexibilidad en la configuración.
El precio que aparece es orientativo
personalizada
asegurado
pago seguro
| Tamaño de memoria | |
| Tipo de memoria | |
| Frecuencia memoria | |
| Voltaje | |
| ECC | |
| Latencia |
La memoria Samsung M321RYGA0PB0-CWM es una solución de alto rendimiento diseñada para servidores y centros de datos que requieren capacidades avanzadas y velocidades excepcionales. Con una impresionante capacidad de 96 GB y tecnología DDR5, este módulo ofrece una velocidad de transferencia de hasta 5600 Mbps, asegurando una respuesta rápida y eficiente en entornos de trabajo intensivos.
Este módulo es un Registered DIMM (RDIMM), lo que significa que incluye un registro para mejorar las señales de reloj, comando y control, proporcionando una mayor estabilidad y fiabilidad en operaciones críticas. Además, incorpora corrección de errores ECC, capaz de detectar y corregir errores de bits, garantizando la integridad de los datos y reduciendo el riesgo de fallos en aplicaciones esenciales.
La configuración de doble rango (2R x 4) y organización x4 permite una mayor densidad y eficiencia en la gestión de datos, adaptándose a las demandas de sistemas modernos. Operando a un voltaje de 1.1 V, la M321RYGA0PB0-CWM es energéticamente eficiente, contribuyendo a la reducción del consumo de energía en entornos de alto rendimiento.
Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu infraestructura de TI, la Samsung M321RYGA0PB0-CWM es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu sistema con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.
Principales Características...
* Capacidad de 96 GB: Amplia capacidad para manejar cargas de trabajo intensivas.
* Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* Registered DIMM (RDIMM): Mejora la estabilidad y fiabilidad del sistema.
* Corrección de errores ECC: Detecta y corrige errores de bits, asegurando la integridad de los datos.
* Configuración 2R x 4: Doble rango con organización x4 para mayor eficiencia.
* Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente.
* Compatibilidad con 2DPC: Soporta hasta 2 módulos por canal, ofreciendo flexibilidad en la configuración.
| Tipo | DDR5 |
| Formato | RDIMM |
| Registrada | Sí |
| Buffered | Sí |
| Capacidad | 96 GB |
| Velocidad | 5600 Mbps |
| Rank x Org | 2R x 4 |
| Composición | (4G x 4) x 40 |
| Nº de pines | 288 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Latencia CAS | CL40 |
La memoria Samsung M321RYGA0PB0-CWM es una solución de alto rendimiento diseñada para servidores y centros de datos que requieren capacidades avanzadas y velocidades excepcionales. Con una impresionante capacidad de 96 GB y tecnología DDR5, este módulo ofrece una velocidad de transferencia de hasta 5600 Mbps, asegurando una respuesta rápida y eficiente en entornos de trabajo intensivos.
Este módulo es un Registered DIMM (RDIMM), lo que significa que incluye un registro para mejorar las señales de reloj, comando y control, proporcionando una mayor estabilidad y fiabilidad en operaciones críticas. Además, incorpora corrección de errores ECC, capaz de detectar y corregir errores de bits, garantizando la integridad de los datos y reduciendo el riesgo de fallos en aplicaciones esenciales.
La configuración de doble rango (2R x 4) y organización x4 permite una mayor densidad y eficiencia en la gestión de datos, adaptándose a las demandas de sistemas modernos. Operando a un voltaje de 1.1 V, la M321RYGA0PB0-CWM es energéticamente eficiente, contribuyendo a la reducción del consumo de energía en entornos de alto rendimiento.
Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu infraestructura de TI, la Samsung M321RYGA0PB0-CWM es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu sistema con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.
Principales Características...
* Capacidad de 96 GB: Amplia capacidad para manejar cargas de trabajo intensivas.
* Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* Registered DIMM (RDIMM): Mejora la estabilidad y fiabilidad del sistema.
* Corrección de errores ECC: Detecta y corrige errores de bits, asegurando la integridad de los datos.
* Configuración 2R x 4: Doble rango con organización x4 para mayor eficiencia.
* Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente.
* Compatibilidad con 2DPC: Soporta hasta 2 módulos por canal, ofreciendo flexibilidad en la configuración.
| Tipo | DDR5 |
| Formato | RDIMM |
| Registrada | Sí |
| Buffered | Sí |
| Capacidad | 96 GB |
| Velocidad | 5600 Mbps |
| Rank x Org | 2R x 4 |
| Composición | (4G x 4) x 40 |
| Nº de pines | 288 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Latencia CAS | CL40 |
