Samsung 8Gb SO-DIMM DDR4 2666Mhz 1.2V

Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
Tipo de memoria interna: DDR4 SO-DIMM.
Latencia CAS: CL19.
Voltaje de la memoria: 1.2 V.

P/N: M471A1K43CB1-CTD - EAN/UPC: 4260580370849

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(RAM SO-DIMM DDR4 8GB / PC2666 /UB/ Samsung)

Principales Características...

* Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: DDR4 SO-DIMM.
* Latencia CAS: CL19.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.

Latencia CAS	19
Memoria interna	8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)	1 x 8 GB
Tipo de memoria interna	DDR4
Velocidad de memoria del reloj	2666 MHz
Componente para	PORTATIL
Forma de factor de memoria	SO-DIMM
Tipo de memoria con búfer	Unregistered (unbuffered)
Voltaje de memoria	1.2

(RAM SO-DIMM DDR4 8GB / PC2666 /UB/ Samsung)

Principales Características...

* Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: DDR4 SO-DIMM.
* Latencia CAS: CL19.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.

Latencia CAS	19
Memoria interna	8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)	1 x 8 GB
Tipo de memoria interna	DDR4
Velocidad de memoria del reloj	2666 MHz
Componente para	PORTATIL
Forma de factor de memoria	SO-DIMM
Tipo de memoria con búfer	Unregistered (unbuffered)
Voltaje de memoria	1.2