Samsung 64Gb DDR5 4800Mhz 1.1V ECC

Samsung 64Gb DDR5 4800Mhz 1.1V ECC

Samsung
  • Memoria: 64GB
  • Tipo de memoria: DDR5-4800
  • Latencia CAS (CL): 40
  • Voltaje: 1,1 voltios
  • Registrada: Si
  • ECC: Si

P/N: M321R8GA0BB0-CQK

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Frecuencia memoria
Tipo de memoria
Voltaje
Latencia
Tamaño de memoria
ECC

Memoria RAM 1x 64 GB Samsung ECC REGISTERED DDR5 2Rx4 4800MHz PC5-38400 RDIMM | M321R8GA0BB0-CQK

Principales características...

 

* Memoria: 64GB. * Tipo de memoria: DDR5-4800. * Latencia CAS (CL): 40. * Voltaje: 1,1 voltios. * Registrada: Si. * ECC: Si.
capacidad
memoria de acceso aleatorio 64GB
Configuración de las tarjetas de memoria 1 módulo
velocidad
tipo de memoria DDR5-4800
Latencia CAS (CL) 40
Retraso de Ras a Cas (tRCD) 40
Precarga de fila (tRP) 40
construcción de memoria
Número de módulos RAM 1
Voltaje 1,1 voltios
zócalo de almacenamiento DIMM
particularidades Registrado • Códigos de corrección de errores (ECC) • Intel Extreme Memory Profiles (XMP)
altura de almacenamiento 3,2cm
estructura de la barra doble rango
estándar JEDEC DDR5-4800 / PC5-38400 a 1,1 V

Memoria RAM 1x 64 GB Samsung ECC REGISTERED DDR5 2Rx4 4800MHz PC5-38400 RDIMM | M321R8GA0BB0-CQK

Principales características...

 

* Memoria: 64GB. * Tipo de memoria: DDR5-4800. * Latencia CAS (CL): 40. * Voltaje: 1,1 voltios. * Registrada: Si. * ECC: Si.
capacidad
memoria de acceso aleatorio 64GB
Configuración de las tarjetas de memoria 1 módulo
velocidad
tipo de memoria DDR5-4800
Latencia CAS (CL) 40
Retraso de Ras a Cas (tRCD) 40
Precarga de fila (tRP) 40
construcción de memoria
Número de módulos RAM 1
Voltaje 1,1 voltios
zócalo de almacenamiento DIMM
particularidades Registrado • Códigos de corrección de errores (ECC) • Intel Extreme Memory Profiles (XMP)
altura de almacenamiento 3,2cm
estructura de la barra doble rango
estándar JEDEC DDR5-4800 / PC5-38400 a 1,1 V


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