English Samsung 64Gb DDR5 4800Mhz 1.1V ECC
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Samsung 64Gb DDR5 4800Mhz 1.1V ECC
- Memoria: 64GB
- Tipo de memoria: DDR5-4800
- Latencia CAS (CL): 40
- Voltaje: 1,1 voltios
- Registrada: Si
- ECC: Si
P/N: M321R8GA0BB0-CQK
301,74 € Sin IVA
365,11 € Con IVA
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Memoria RAM 1x 64 GB Samsung ECC REGISTERED DDR5 2Rx4 4800MHz PC5-38400 RDIMM | M321R8GA0BB0-CQK
Principales características...
* Memoria: 64GB. * Tipo de memoria: DDR5-4800. * Latencia CAS (CL): 40. * Voltaje: 1,1 voltios. * Registrada: Si. * ECC: Si.
| capacidad | |
|---|---|
| memoria de acceso aleatorio | 64GB |
| Configuración de las tarjetas de memoria | 1 módulo |
| velocidad | |
| tipo de memoria | DDR5-4800 |
| Latencia CAS (CL) | 40 |
| Retraso de Ras a Cas (tRCD) | 40 |
| Precarga de fila (tRP) | 40 |
| construcción de memoria | |
| Número de módulos RAM | 1 |
| Voltaje | 1,1 voltios |
| zócalo de almacenamiento | DIMM |
| particularidades | Registrado • Códigos de corrección de errores (ECC) • Intel Extreme Memory Profiles (XMP) |
| altura de almacenamiento | 3,2cm |
| estructura de la barra | doble rango |
| estándar JEDEC | DDR5-4800 / PC5-38400 a 1,1 V |
Memoria RAM 1x 64 GB Samsung ECC REGISTERED DDR5 2Rx4 4800MHz PC5-38400 RDIMM | M321R8GA0BB0-CQK
Principales características...
* Memoria: 64GB. * Tipo de memoria: DDR5-4800. * Latencia CAS (CL): 40. * Voltaje: 1,1 voltios. * Registrada: Si. * ECC: Si.
| capacidad | |
|---|---|
| memoria de acceso aleatorio | 64GB |
| Configuración de las tarjetas de memoria | 1 módulo |
| velocidad | |
| tipo de memoria | DDR5-4800 |
| Latencia CAS (CL) | 40 |
| Retraso de Ras a Cas (tRCD) | 40 |
| Precarga de fila (tRP) | 40 |
| construcción de memoria | |
| Número de módulos RAM | 1 |
| Voltaje | 1,1 voltios |
| zócalo de almacenamiento | DIMM |
| particularidades | Registrado • Códigos de corrección de errores (ECC) • Intel Extreme Memory Profiles (XMP) |
| altura de almacenamiento | 3,2cm |
| estructura de la barra | doble rango |
| estándar JEDEC | DDR5-4800 / PC5-38400 a 1,1 V |
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