Samsung 64Gb DDR5 4800Mhz 1.1V ECC
Samsung 64Gb DDR5 4800Mhz 1.1V ECC
- Memoria: 64GB
- Tipo de memoria: DDR5-4800
- Latencia CAS (CL): 40
- Voltaje: 1,1 voltios
- Registrada: Si
- ECC: Si
P/N: M321R8GA0BB0-CQK
304,75 € Sin IVA
368,75 € Con IVA
Entrega aproximada entre el 12 noviembre y el 13 noviembre
3 años
de garantía
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asegurado
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pago seguro
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Memoria RAM 1x 64 GB Samsung ECC REGISTERED DDR5 2Rx4 4800MHz PC5-38400 RDIMM | M321R8GA0BB0-CQK
Principales características...
* Memoria: 64GB. * Tipo de memoria: DDR5-4800. * Latencia CAS (CL): 40. * Voltaje: 1,1 voltios. * Registrada: Si. * ECC: Si.
capacidad | |
---|---|
memoria de acceso aleatorio | 64GB |
Configuración de las tarjetas de memoria | 1 módulo |
velocidad | |
tipo de memoria | DDR5-4800 |
Latencia CAS (CL) | 40 |
Retraso de Ras a Cas (tRCD) | 40 |
Precarga de fila (tRP) | 40 |
construcción de memoria | |
Número de módulos RAM | 1 |
Voltaje | 1,1 voltios |
zócalo de almacenamiento | DIMM |
particularidades | Registrado • Códigos de corrección de errores (ECC) • Intel Extreme Memory Profiles (XMP) |
altura de almacenamiento | 3,2cm |
estructura de la barra | doble rango |
estándar JEDEC | DDR5-4800 / PC5-38400 a 1,1 V |
Memoria RAM 1x 64 GB Samsung ECC REGISTERED DDR5 2Rx4 4800MHz PC5-38400 RDIMM | M321R8GA0BB0-CQK
Principales características...
* Memoria: 64GB. * Tipo de memoria: DDR5-4800. * Latencia CAS (CL): 40. * Voltaje: 1,1 voltios. * Registrada: Si. * ECC: Si.
capacidad | |
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memoria de acceso aleatorio | 64GB |
Configuración de las tarjetas de memoria | 1 módulo |
velocidad | |
tipo de memoria | DDR5-4800 |
Latencia CAS (CL) | 40 |
Retraso de Ras a Cas (tRCD) | 40 |
Precarga de fila (tRP) | 40 |
construcción de memoria | |
Número de módulos RAM | 1 |
Voltaje | 1,1 voltios |
zócalo de almacenamiento | DIMM |
particularidades | Registrado • Códigos de corrección de errores (ECC) • Intel Extreme Memory Profiles (XMP) |
altura de almacenamiento | 3,2cm |
estructura de la barra | doble rango |
estándar JEDEC | DDR5-4800 / PC5-38400 a 1,1 V |
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