Samsung 32Gb DDR5 4800Mhz 1.1V ECC UDIMM

Samsung 32Gb DDR5 4800Mhz 1.1V ECC UDIMM

Samsung
  • Latencia CAS: 22
  • Memoria interna: 32 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 32 GB GB
  • Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
  • Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
  • Tipo de memoria interna: DRAM
  • Componente para: PC/servidor

P/N: M324R4GA3BB0-CQK - EAN/UPC: 5059902031143

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Frecuencia memoria
Tipo de memoria
Latencia
Voltaje
ECC
Tamaño de memoria

Samsung M324R4GA3BB0-CQK. Componente para: PC/servidor, Memoria interna: 32 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 32 GB, Tipo de memoria interna: DRAM, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM, Latencia CAS: 22, ECC

Principales características...

* Memoria interna: 32 GB.
* Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz.
* Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 32 GB GB.
* Tecnologia: DDR5
* Latencia CAS: 22

Características
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)  
Latencia CAS 22  
Memoria interna 32 GB  GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 32 GB  GB
Tipo de memoria interna DRAM  
Velocidad de memoria del reloj 4800 MHz  MHz
Componente para PC/servidor  
Forma de factor de memoria 288-pin DIMM  
ECC Si  
Voltaje de memoria 1.1 V

Samsung M324R4GA3BB0-CQK. Componente para: PC/servidor, Memoria interna: 32 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 32 GB, Tipo de memoria interna: DRAM, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM, Latencia CAS: 22, ECC

Principales características...

* Memoria interna: 32 GB.
* Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz.
* Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 32 GB GB.
* Tecnologia: DDR5
* Latencia CAS: 22

Características
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)  
Latencia CAS 22  
Memoria interna 32 GB  GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 32 GB  GB
Tipo de memoria interna DRAM  
Velocidad de memoria del reloj 4800 MHz  MHz
Componente para PC/servidor  
Forma de factor de memoria 288-pin DIMM  
ECC Si  
Voltaje de memoria 1.1 V


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