Samsung 32Gb DDR5 4800Mhz 1.1V ECC Reg. 2Rx8

La memoria RAM Samsung M321R4GA3BB6-CQKDS es una solución avanzada de alto rendimiento diseñada para servidores que requieren una gran capacidad y velocidad de procesamiento. Con una capacidad de 32 GB, esta memoria DDR5 ofrece un ancho de banda superior y una mayor eficiencia energética en comparación con generaciones anteriores. Su velocidad de 4800 Mbps garantiza un rendimiento óptimo en entornos de alta demanda, lo que la convierte en una excelente opción para centros de datos y servidores empresariales.

Gracias a su configuración de 2R x 8 y su composición de componentes de (2G x 8) x 20, esta memoria proporciona una arquitectura robusta y fiable, ideal para cargas de trabajo intensivas. Además, su voltaje de 1.1 V reduce el consumo de energía sin comprometer el rendimiento, lo que contribuye a una mayor eficiencia y menor generación de calor en los sistemas.

Diseñada para entornos empresariales y servidores de alto nivel, la Samsung M321R4GA3BB6-CQKDS está en producción masiva, lo que garantiza su disponibilidad y compatibilidad con las plataformas más recientes. Su formato de 288 pines asegura una conexión estable y rápida con la placa base del servidor, optimizando la comunicación de datos y mejorando la capacidad multitarea del sistema.

Principales Características...

* Capacidad de 32 GB, ideal para aplicaciones de servidor exigentes.
* DDR5 de última generación para un mayor ancho de banda y menor latencia.
* Velocidad de 4800 Mbps, optimizada para cargas de trabajo intensivas.
* Voltaje de 1.1 V, mejor eficiencia energética y menor consumo de energía.
* Configuración de 2R x 8, para una mayor estabilidad y rendimiento en servidores.
* Composición de (2G x 8) x 20, asegurando una alta densidad de almacenamiento.
* 288 pines, garantizando compatibilidad con las plataformas de servidores actuales.