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Samsung 32Gb DDR5 4800Mhz 1.1V
- Modelo: M323R4GA3BB0-CQKOD.
- Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
- Capacidad: 32GB.
- Frecuencia: 4800MHz.
- Voltaje: 1.1V.
- Latencia CAS: CL40.
- Organización: 2R x 8 con 288 pines.
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La memoria Samsung M323R4GA3BB0-CQKOD de 32GB DDR5 a 4800MHz con latencia CL40 ha sido diseñada para ofrecer un rendimiento optimizado en sistemas de última generación. Gracias a la tecnología DDR5, proporciona una velocidad de transferencia superior y una mejor eficiencia energética en comparación con módulos DDR4.
Su organización 2R x 8 y su composición interna (2G x 8) x 16 permiten una operación estable y confiable, incluso en entornos multitarea exigentes o aplicaciones intensivas de memoria. Con sus 288 pines, asegura compatibilidad con plataformas modernas, maximizando la capacidad de respuesta del sistema.
El voltaje de funcionamiento de 1.1V contribuye a una mayor eficiencia energética, reduciendo el consumo y la generación de calor. Esto se traduce en un mejor rendimiento sostenido y una mayor vida útil del hardware.
La Samsung M323R4GA3BB0-CQKOD sigue siendo una solución de alto nivel para quienes buscan ampliar la memoria con un módulo DDR5 fiable, respaldado por la calidad de Samsung en el sector de los semiconductores.
Principales características...
* Modelo: M323R4GA3BB0-CQKOD.
* Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
* Capacidad: 32GB.
* Frecuencia: 4800MHz.
* Voltaje: 1.1V.
* Latencia CAS: CL40.
* Organización: 2R x 8 con 288 pines.
| Capacidad | 32GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 4800MHz |
| Tipo de módulo | UDIMM |
| Latencia CAS | CL40 |
| Voltaje | 1.1V |
| Características | Rank 2R x 8; composición (2G x 8) x 16; 288 pines; eficiencia energética optimizada |
La memoria Samsung M323R4GA3BB0-CQKOD de 32GB DDR5 a 4800MHz con latencia CL40 ha sido diseñada para ofrecer un rendimiento optimizado en sistemas de última generación. Gracias a la tecnología DDR5, proporciona una velocidad de transferencia superior y una mejor eficiencia energética en comparación con módulos DDR4.
Su organización 2R x 8 y su composición interna (2G x 8) x 16 permiten una operación estable y confiable, incluso en entornos multitarea exigentes o aplicaciones intensivas de memoria. Con sus 288 pines, asegura compatibilidad con plataformas modernas, maximizando la capacidad de respuesta del sistema.
El voltaje de funcionamiento de 1.1V contribuye a una mayor eficiencia energética, reduciendo el consumo y la generación de calor. Esto se traduce en un mejor rendimiento sostenido y una mayor vida útil del hardware.
La Samsung M323R4GA3BB0-CQKOD sigue siendo una solución de alto nivel para quienes buscan ampliar la memoria con un módulo DDR5 fiable, respaldado por la calidad de Samsung en el sector de los semiconductores.
Principales características...
* Modelo: M323R4GA3BB0-CQKOD.
* Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
* Capacidad: 32GB.
* Frecuencia: 4800MHz.
* Voltaje: 1.1V.
* Latencia CAS: CL40.
* Organización: 2R x 8 con 288 pines.
| Capacidad | 32GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 4800MHz |
| Tipo de módulo | UDIMM |
| Latencia CAS | CL40 |
| Voltaje | 1.1V |
| Características | Rank 2R x 8; composición (2G x 8) x 16; 288 pines; eficiencia energética optimizada |
