English Samsung 32Gb DDR4 3200Mhz 1.2V ECC Reg
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Samsung 32Gb DDR4 3200Mhz 1.2V ECC Reg
- memoria de 32 gb
- Tecnología: Ddr4 Sdram
- Número de módulos: 1
- bus de X 32 gb Velocidad: 3200 mhz Ddr4-25600 / pc4- 3200
- Tiempos de latencia: rango Cl22
- Características: 2rx4
P/N: M393A4K40DB2-CWE
217,86 € Sin IVA
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SAMSUNG M393A4K40DB2-CWE 32gb (1x32gb) 3200mhz Pc4-25600 Cas-22 Ecc Módulo de memoria Rdimm registrado de doble rango X4 Ddr4 Sdram de 288 pines para servidor.
* Tecnología: Ddr4 Sdram.
* Número de módulos: 1.
* bus de X 32 gb Velocidad: 3200 mhz Ddr4-25600 / pc4- 3200
* Tiempos de latencia: rango Cl22 .
Principales Características...
* memoria de 32 gb.* Tecnología: Ddr4 Sdram.
* Número de módulos: 1.
* bus de X 32 gb Velocidad: 3200 mhz Ddr4-25600 / pc4- 3200
* Tiempos de latencia: rango Cl22 .
| Memoria interna: | 32 GB |
| Tipo de memoria interna: | DDR4 |
| Velocidad de memoria del reloj: | 3200 MHz |
| Componente para: | PC/servidor |
| Forma de factor de memoria: | 288-pin DIMM |
| Tipo de memoria con búfer: | Registered (buffered) |
| Voltaje de memoria: | 1.2 V |
SAMSUNG M393A4K40DB2-CWE 32gb (1x32gb) 3200mhz Pc4-25600 Cas-22 Ecc Módulo de memoria Rdimm registrado de doble rango X4 Ddr4 Sdram de 288 pines para servidor.
* Tecnología: Ddr4 Sdram.
* Número de módulos: 1.
* bus de X 32 gb Velocidad: 3200 mhz Ddr4-25600 / pc4- 3200
* Tiempos de latencia: rango Cl22 .
Principales Características...
* memoria de 32 gb.* Tecnología: Ddr4 Sdram.
* Número de módulos: 1.
* bus de X 32 gb Velocidad: 3200 mhz Ddr4-25600 / pc4- 3200
* Tiempos de latencia: rango Cl22 .
| Memoria interna: | 32 GB |
| Tipo de memoria interna: | DDR4 |
| Velocidad de memoria del reloj: | 3200 MHz |
| Componente para: | PC/servidor |
| Forma de factor de memoria: | 288-pin DIMM |
| Tipo de memoria con búfer: | Registered (buffered) |
| Voltaje de memoria: | 1.2 V |
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