Samsung 16Gb SO-DIMM DDR4 2666Mhz 1.2V

Diseño de memoria: 1 x 16Gb.
Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
Tipo de memoria interna: so-dimm DDR4.
ECC: No.
Voltaje de la memoria: 1.2 V.

P/N: M471A2K43CB1-CTD

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Samsung - DDR4 - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC).

Principales Características...

* Diseño de memoria: 1 x 16Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: so-dimm DDR4.
* ECC: No.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.

Memoria interna	16 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)	1 x 16 GB
Tipo de memoria interna	DDR4
Velocidad de memoria del reloj	2666 MHz
Componente para	PC/server
Forma de factor de memoria	260- pin SO-DIMM
Tipo de memoria con búfer	Unregistered (unbuffered)
ECC	Si
Latencia CAS	19
Voltaje de memoria	1.2 V

Samsung - DDR4 - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC).

Principales Características...

* Diseño de memoria: 1 x 16Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: so-dimm DDR4.
* ECC: No.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.

Memoria interna	16 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)	1 x 16 GB
Tipo de memoria interna	DDR4
Velocidad de memoria del reloj	2666 MHz
Componente para	PC/server
Forma de factor de memoria	260- pin SO-DIMM
Tipo de memoria con búfer	Unregistered (unbuffered)
ECC	Si
Latencia CAS	19
Voltaje de memoria	1.2 V