Samsung 16Gb DDR5 4800Mhz 1.1V ECC

El módulo de memoria Samsung M323R2GA3BB0-CQK es una solución DDR5 de última generación, diseñada específicamente para entornos que requieren un rendimiento rápido y eficiente, como PC de alto rendimiento y configuraciones gaming. Esta memoria no está registrada (UDIMM), lo que significa que ofrece menores latencias, ideal para aplicaciones que demandan una respuesta rápida.

Con una capacidad de 16 GB y una velocidad de transferencia de datos de hasta 4800 Mbps, esta memoria proporciona una mejora significativa en la velocidad y eficiencia en comparación con sus predecesores DDR4. La tecnología DDR5 ofrece mayores anchos de banda y un aumento considerable en la densidad, lo que permite gestionar mayores volúmenes de datos de manera eficiente.

El módulo funciona a un voltaje de 1.1V, lo cual reduce el consumo de energía mientras mantiene un rendimiento de alta capacidad. Además, el M323R2GA3BB0-CQK tiene un diseño de 288 pines y una organización de 1R x 8, lo que facilita la integración en diferentes configuraciones de hardware, maximizando el rendimiento.

Este módulo está actualmente en producción masiva, lo que garantiza su disponibilidad para integradores de sistemas y usuarios avanzados que busquen maximizar el rendimiento de sus plataformas de computación sin comprometer la eficiencia energética.

Principales características...

* Tecnología DDR5: Ofrece mayor velocidad y eficiencia comparado con DDR4.
* Capacidad de 16 GB: Ideal para aplicaciones de alto rendimiento.
* Velocidad de 4800 Mbps: Garantiza transferencias rápidas de datos.
* Voltaje bajo (1.1 V): Optimiza el consumo de energía.
* Tipo UDIMM: Memoria sin búfer, lo que reduce la latencia.
* 288 Pines: Diseño compatible con una amplia gama de plataformas de hardware.
* En producción masiva: Disponibilidad garantizada para integraciones de sistemas.