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Samsung 16Gb DDR5 4800Mhz 1.1V
- Modelo: M323R2GA3BB0-CQK.
- Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
- Capacidad: 16GB.
- Frecuencia: 4800MHz.
- Voltaje: 1.1V.
- Organización: 1R x 8.
- Pines: 288.
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La memoria Samsung M323R2GA3BB0-CQK está diseñada para ofrecer un rendimiento sólido en equipos de nueva generación que requieren eficiencia y velocidad. Con una capacidad de 16GB en formato DDR5 UDIMM, este módulo impulsa el procesamiento multitarea y asegura una experiencia fluida en aplicaciones exigentes.
Gracias a su frecuencia de 4800MHz y a su bajo voltaje de 1.1V, se consigue un equilibrio perfecto entre potencia y eficiencia energética, reduciendo el consumo eléctrico sin comprometer la velocidad de transmisión de datos. Esto resulta esencial para usuarios que buscan un sistema más estable y con menor generación de calor.
El diseño con organización 1R x 8 y su composición interna optimizada refuerzan la confiabilidad del módulo, garantizando compatibilidad con plataformas modernas y maximizando el ancho de banda disponible. Sus 288 pines aseguran una conexión firme y estable con la placa base.
Al elegir la memoria Samsung M323R2GA3BB0-CQK, se apuesta por una solución de alto nivel para estaciones de trabajo y ordenadores de sobremesa, preparada para mantener un rendimiento constante incluso en escenarios de alta demanda. Aunque su estado de producción es EOL, continúa siendo una referencia para quienes buscan fiabilidad en DDR5.
Principales características...
* Modelo: M323R2GA3BB0-CQK.
* Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
* Capacidad: 16GB.
* Frecuencia: 4800MHz.
* Voltaje: 1.1V.
* Organización: 1R x 8.
* Pines: 288.
| Capacidad | 16 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 4800 MHz |
| Tipo de módulo | UDIMM |
| Latencia CAS | CL40 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | 1R x 8, 288 pines, Composición (2Gx8)x8, EOL |
La memoria Samsung M323R2GA3BB0-CQK está diseñada para ofrecer un rendimiento sólido en equipos de nueva generación que requieren eficiencia y velocidad. Con una capacidad de 16GB en formato DDR5 UDIMM, este módulo impulsa el procesamiento multitarea y asegura una experiencia fluida en aplicaciones exigentes.
Gracias a su frecuencia de 4800MHz y a su bajo voltaje de 1.1V, se consigue un equilibrio perfecto entre potencia y eficiencia energética, reduciendo el consumo eléctrico sin comprometer la velocidad de transmisión de datos. Esto resulta esencial para usuarios que buscan un sistema más estable y con menor generación de calor.
El diseño con organización 1R x 8 y su composición interna optimizada refuerzan la confiabilidad del módulo, garantizando compatibilidad con plataformas modernas y maximizando el ancho de banda disponible. Sus 288 pines aseguran una conexión firme y estable con la placa base.
Al elegir la memoria Samsung M323R2GA3BB0-CQK, se apuesta por una solución de alto nivel para estaciones de trabajo y ordenadores de sobremesa, preparada para mantener un rendimiento constante incluso en escenarios de alta demanda. Aunque su estado de producción es EOL, continúa siendo una referencia para quienes buscan fiabilidad en DDR5.
Principales características...
* Modelo: M323R2GA3BB0-CQK.
* Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
* Capacidad: 16GB.
* Frecuencia: 4800MHz.
* Voltaje: 1.1V.
* Organización: 1R x 8.
* Pines: 288.
| Capacidad | 16 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 4800 MHz |
| Tipo de módulo | UDIMM |
| Latencia CAS | CL40 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | 1R x 8, 288 pines, Composición (2Gx8)x8, EOL |
