Samsung 128Gb DDR4 3200Mhz 1.2V ECC
Samsung 128Gb DDR4 3200Mhz 1.2V ECC
- Memoria de 128 gb Tecnología: Ddr4 Sdram
- Número de módulos: 1
- bus de X 128 gb Velocidad: 3200 mhz Ddr4-25600 / pc4- 3200
- Tiempos de latencia: rango Cl22
- Características: rango cuádruple X4
P/N: M393AAG40M32-CAE - EAN/UPC: 4260580376544
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Tipo de memoria | |
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Latencia | |
Voltaje | |
ECC | |
Tamaño de memoria |
SAMSUNG M393AAG40M32-CAE 128gb (1x128gb) 3200mhz Pc4-25600 Cl22 Ecc Registered Quad Rank X4 1.2v Ddr4 Sdram 288-pin Rdimm
Principales Características...
* Memoria de 128 gb Tecnología: Ddr4 Sdram.
* Número de módulos: 1.
* bus de X 128 gb Velocidad: 3200 mhz Ddr4-25600 / pc4- 3200.
* Tiempos de latencia: rango Cl22 .
* Características: rango cuádruple X4.
Memoria interna: | 128 GB |
Diseño de memoria (módulos x tamaño): | 1 x 128 GB |
Tipo de memoria interna: | DDR4 |
Velocidad de memoria del reloj: | 3200 MHz |
Componente para: | PC/servidor |
Forma de factor de memoria: | 288-pin DIMM |
Tipo de memoria con búfer: | Registered (buffered) |
Voltaje de memoria: | 1.2 V |
SAMSUNG M393AAG40M32-CAE 128gb (1x128gb) 3200mhz Pc4-25600 Cl22 Ecc Registered Quad Rank X4 1.2v Ddr4 Sdram 288-pin Rdimm
Principales Características...
* Memoria de 128 gb Tecnología: Ddr4 Sdram.
* Número de módulos: 1.
* bus de X 128 gb Velocidad: 3200 mhz Ddr4-25600 / pc4- 3200.
* Tiempos de latencia: rango Cl22 .
* Características: rango cuádruple X4.
Memoria interna: | 128 GB |
Diseño de memoria (módulos x tamaño): | 1 x 128 GB |
Tipo de memoria interna: | DDR4 |
Velocidad de memoria del reloj: | 3200 MHz |
Componente para: | PC/servidor |
Forma de factor de memoria: | 288-pin DIMM |
Tipo de memoria con búfer: | Registered (buffered) |
Voltaje de memoria: | 1.2 V |
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