Samsung 128Gb DDR4 2933Mhz 1.2V ECC

Samsung 128Gb DDR4 2933Mhz 1.2V ECC

Samsung
  • Tecnología de memoria de 128 gb: Sdram Ddr4
  • Número de módulos: 1
  • 128 gb Velocidad de bus: 2933 mhz Ddr4-23400 / pc4- 2933
  • Comprobación de integridad de datos: Ecc
  • Tiempos de latencia Cas registrados : Cl24
  • Características de rango: 4rx4

P/N: M393AAG40M3B-CYF - EAN/UPC: KR M393AAG40M3B-CYF 2041

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Tipo de memoria
Frecuencia memoria
Latencia
Voltaje
ECC
Tamaño de memoria

SAMSUNG M393AAG40M3B-CYF 128gb (1x128gb) 2933mhz Pc4-23400 Cl24 Ecc Registered Quad Rank X4 1.2v Ddr4 Sdram

Principales Características...

* Tecnología de memoria de 128 gb: Sdram Ddr4
* Número de módulos: 1.
* 128 gb Velocidad de bus: 2933 mhz Ddr4-23400 / pc4- 2933.
* Características de rango: 4rx4.
* Tiempos de latencia Cas registrados : Cl24.
 

Memoria interna: 128 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 128 GB
Tipo de memoria interna: DDR4
Velocidad de memoria del reloj: 2933 MHz
Componente para: PC/servidor
Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM
ECC: Si
Tipo de memoria con búfer: Registered (buffered)
Latencia CAS: 24
Clasificación de memoria: 4
Voltaje de memoria: 1.2 V

SAMSUNG M393AAG40M3B-CYF 128gb (1x128gb) 2933mhz Pc4-23400 Cl24 Ecc Registered Quad Rank X4 1.2v Ddr4 Sdram

Principales Características...

* Tecnología de memoria de 128 gb: Sdram Ddr4
* Número de módulos: 1.
* 128 gb Velocidad de bus: 2933 mhz Ddr4-23400 / pc4- 2933.
* Características de rango: 4rx4.
* Tiempos de latencia Cas registrados : Cl24.
 

Memoria interna: 128 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 128 GB
Tipo de memoria interna: DDR4
Velocidad de memoria del reloj: 2933 MHz
Componente para: PC/servidor
Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM
ECC: Si
Tipo de memoria con búfer: Registered (buffered)
Latencia CAS: 24
Clasificación de memoria: 4
Voltaje de memoria: 1.2 V


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