Samsung 128Gb DDR4 2933Mhz 1.2V ECC
Samsung 128Gb DDR4 2933Mhz 1.2V ECC
- Tecnología de memoria de 128 gb: Sdram Ddr4
- Número de módulos: 1
- 128 gb Velocidad de bus: 2933 mhz Ddr4-23400 / pc4- 2933
- Comprobación de integridad de datos: Ecc
- Tiempos de latencia Cas registrados : Cl24
- Características de rango: 4rx4
P/N: M393AAG40M3B-CYF - EAN/UPC: KR M393AAG40M3B-CYF 2041
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Tipo de memoria | |
Frecuencia memoria | |
Latencia | |
Voltaje | |
ECC | |
Tamaño de memoria |
SAMSUNG M393AAG40M3B-CYF 128gb (1x128gb) 2933mhz Pc4-23400 Cl24 Ecc Registered Quad Rank X4 1.2v Ddr4 Sdram
Principales Características...
* Tecnología de memoria de 128 gb: Sdram Ddr4
* Número de módulos: 1.
* 128 gb Velocidad de bus: 2933 mhz Ddr4-23400 / pc4- 2933.
* Características de rango: 4rx4.
* Tiempos de latencia Cas registrados : Cl24.
Memoria interna: | 128 GB |
Diseño de memoria (módulos x tamaño): | 1 x 128 GB |
Tipo de memoria interna: | DDR4 |
Velocidad de memoria del reloj: | 2933 MHz |
Componente para: | PC/servidor |
Forma de factor de memoria: | 288-pin DIMM |
ECC: | Si |
Tipo de memoria con búfer: | Registered (buffered) |
Latencia CAS: | 24 |
Clasificación de memoria: | 4 |
Voltaje de memoria: | 1.2 V |
SAMSUNG M393AAG40M3B-CYF 128gb (1x128gb) 2933mhz Pc4-23400 Cl24 Ecc Registered Quad Rank X4 1.2v Ddr4 Sdram
Principales Características...
* Tecnología de memoria de 128 gb: Sdram Ddr4
* Número de módulos: 1.
* 128 gb Velocidad de bus: 2933 mhz Ddr4-23400 / pc4- 2933.
* Características de rango: 4rx4.
* Tiempos de latencia Cas registrados : Cl24.
Memoria interna: | 128 GB |
Diseño de memoria (módulos x tamaño): | 1 x 128 GB |
Tipo de memoria interna: | DDR4 |
Velocidad de memoria del reloj: | 2933 MHz |
Componente para: | PC/servidor |
Forma de factor de memoria: | 288-pin DIMM |
ECC: | Si |
Tipo de memoria con búfer: | Registered (buffered) |
Latencia CAS: | 24 |
Clasificación de memoria: | 4 |
Voltaje de memoria: | 1.2 V |
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