Kingston 16Gb (2x 8Gb) DDR5 4800Mhz 1.1V

Kingston 16Gb (2x 8Gb) DDR5 4800Mhz 1.1V

Kingston
  • Memoria interna: 16 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB
  • Tipo de memoria interna: DDR5
  • Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
  • Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM

P/N: KCP548US6K2-16 - EAN/UPC: 0740617328851

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Las memorias de Kingston han sido diseñadas, fabricadas y rigurosamente probadas para satisfacer las especificaciones exactas de cada sistema de una marca específica. Su compatibilidad y soporte técnico quedan respaldados a través de una garantía de por vida y la reconocida fiabilidad de Kingston. 

Principales características...

* Memoria interna: 16 GB.
* Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB.
* Tipo de memoria interna: DDR5.
* Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz.
* Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM

Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)
Memoria interna 16 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 2 x 8 GB
Tipo de memoria interna DDR5
Velocidad de memoria del reloj 4800 MHz
Componente para PC/servidor
Forma de factor de memoria 288-pin DIMM
ECC No
Latencia CAS 40
Clasificación de memoria 1
Voltaje de memoria 1.1 V

Las memorias de Kingston han sido diseñadas, fabricadas y rigurosamente probadas para satisfacer las especificaciones exactas de cada sistema de una marca específica. Su compatibilidad y soporte técnico quedan respaldados a través de una garantía de por vida y la reconocida fiabilidad de Kingston. 

Principales características...

* Memoria interna: 16 GB.
* Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB.
* Tipo de memoria interna: DDR5.
* Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz.
* Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM

Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)
Memoria interna 16 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 2 x 8 GB
Tipo de memoria interna DDR5
Velocidad de memoria del reloj 4800 MHz
Componente para PC/servidor
Forma de factor de memoria 288-pin DIMM
ECC No
Latencia CAS 40
Clasificación de memoria 1
Voltaje de memoria 1.1 V


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