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Transcend 8Gb SO-DIMM DDR4 3200MHz 1.2V TS1GSH64V2B
- Capacidad óptima – 8 GB para mejorar el rendimiento del sistema.
- Alta velocidad – 3200 MHz para una mayor fluidez en aplicaciones exigentes.
- Latencia optimizada – CL22 para una transmisión de datos estable.
- Eficiencia energética – Operación a 1.2V que reduce el consumo de energía.
- Diseño compacto – SO-DIMM de 260 pines con una altura de 1.18 pulgadas.
- Configuración optimizada – Rank 1Rx8 y DRAM (1Gx8)x8 para mayor eficiencia.
- Alta resistencia térmica – Rango de operación de 0°C a 95°C, ideal para entornos exigentes.
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El módulo de memoria Transcend TS1GSH64V2B es una solución eficiente y confiable diseñada para mejorar el rendimiento de portátiles y dispositivos compactos. Con una capacidad de 8 GB y tecnología DDR4 SO-DIMM, este módulo ofrece un equilibrio perfecto entre velocidad, estabilidad y consumo energético optimizado.
Con una velocidad de 3200 MHz y una latencia CL22, el TS1GSH64V2B garantiza una transmisión de datos rápida y estable, mejorando el rendimiento en aplicaciones multitarea y procesos que requieren una alta capacidad de respuesta. Su arquitectura 1Rx8 y la configuración de chips (1Gx8)x8 optimizan la eficiencia en la gestión de memoria, asegurando un desempeño óptimo en distintos escenarios de uso.
Operando a un voltaje de 1.2V, este módulo ofrece un bajo consumo energético, reduciendo la generación de calor y prolongando la vida útil del hardware. Su diseño compacto, con una altura de 1.18 pulgadas, y su formato Unbuffered SO-DIMM de 260 pines, garantizan compatibilidad con una amplia variedad de laptops y sistemas compactos. Además, su rango de temperatura de operación de 0°C a 95°C lo hace ideal para entornos exigentes y dispositivos sometidos a temperaturas elevadas.
Principales Características...
* Capacidad óptima – 8 GB para mejorar el rendimiento del sistema.
* Alta velocidad – 3200 MHz para una mayor fluidez en aplicaciones exigentes.
* Latencia optimizada – CL22 para una transmisión de datos estable.
* Eficiencia energética – Operación a 1.2V que reduce el consumo de energía.
* Diseño compacto – SO-DIMM de 260 pines con una altura de 1.18 pulgadas.
* Configuración optimizada – Rank 1Rx8 y DRAM (1Gx8)x8 para mayor eficiencia.
* Alta resistencia térmica – Rango de operación de 0°C a 95°C, ideal para entornos exigentes.
| Capacidad | 8 GB |
| Tipo | DDR4 |
| Frecuencia | 3200 MHz |
| Tipo de módulo | Unbuffered SO-DIMM |
| Latencia CAS | CL22 |
| Voltaje | 1.2V |
| Características | 1Rx8, DRAM (1Gx8)x8, 260 pines, altura de PCB de 1.18 pulgadas, temperatura de operación de 0°C a 95°C |
El módulo de memoria Transcend TS1GSH64V2B es una solución eficiente y confiable diseñada para mejorar el rendimiento de portátiles y dispositivos compactos. Con una capacidad de 8 GB y tecnología DDR4 SO-DIMM, este módulo ofrece un equilibrio perfecto entre velocidad, estabilidad y consumo energético optimizado.
Con una velocidad de 3200 MHz y una latencia CL22, el TS1GSH64V2B garantiza una transmisión de datos rápida y estable, mejorando el rendimiento en aplicaciones multitarea y procesos que requieren una alta capacidad de respuesta. Su arquitectura 1Rx8 y la configuración de chips (1Gx8)x8 optimizan la eficiencia en la gestión de memoria, asegurando un desempeño óptimo en distintos escenarios de uso.
Operando a un voltaje de 1.2V, este módulo ofrece un bajo consumo energético, reduciendo la generación de calor y prolongando la vida útil del hardware. Su diseño compacto, con una altura de 1.18 pulgadas, y su formato Unbuffered SO-DIMM de 260 pines, garantizan compatibilidad con una amplia variedad de laptops y sistemas compactos. Además, su rango de temperatura de operación de 0°C a 95°C lo hace ideal para entornos exigentes y dispositivos sometidos a temperaturas elevadas.
Principales Características...
* Capacidad óptima – 8 GB para mejorar el rendimiento del sistema.
* Alta velocidad – 3200 MHz para una mayor fluidez en aplicaciones exigentes.
* Latencia optimizada – CL22 para una transmisión de datos estable.
* Eficiencia energética – Operación a 1.2V que reduce el consumo de energía.
* Diseño compacto – SO-DIMM de 260 pines con una altura de 1.18 pulgadas.
* Configuración optimizada – Rank 1Rx8 y DRAM (1Gx8)x8 para mayor eficiencia.
* Alta resistencia térmica – Rango de operación de 0°C a 95°C, ideal para entornos exigentes.
| Capacidad | 8 GB |
| Tipo | DDR4 |
| Frecuencia | 3200 MHz |
| Tipo de módulo | Unbuffered SO-DIMM |
| Latencia CAS | CL22 |
| Voltaje | 1.2V |
| Características | 1Rx8, DRAM (1Gx8)x8, 260 pines, altura de PCB de 1.18 pulgadas, temperatura de operación de 0°C a 95°C |
