Samsung 32Gb So-DIMM DDR5 5600Mhz 1.1V
- Capacidad: 32GB.
- Velocidad: 5600 MHz.
- Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
- Corrección de Errores: Non-ECC.
- Voltaje: 1.1V.
- Número de Pines: 262.
- Organización: 2Rx8.
de garantía
asegurado
pago seguro
La memoria Samsung M425R4GA3BB0-CWM es un módulo SO-DIMM DDR5 de 32GB diseñado para laptops y sistemas compactos que requieren un alto rendimiento y eficiencia. Este módulo opera a una velocidad impresionante de 5600 MHz, asegurando un rendimiento superior y capacidad de respuesta para aplicaciones intensivas y multitarea. Su formato SO-DIMM de 262 pines y diseño de perfil estándar lo hacen ideal para dispositivos con limitaciones de espacio.
Principales Características...
* Capacidad: 32GB.
* Velocidad: 5600 MHz.
* Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
* Corrección de Errores: Non-ECC.
* Voltaje: 1.1V.
* Número de Pines: 262.
* Organización: 2Rx8.
Modelo | M425R4GA3BB0-CWM |
Capacidad | 32GB |
Tipo de Memoria | DDR5 |
Velocidad | 5600 MHz |
Voltaje | 1.1V |
Corrección de Errores | Non-ECC |
Tipo de Módulo | SO-DIMM |
Número de Pines | 262 |
Organización | 2Rx8 |
Composición del Componente | (2G x 8) x 16 |
Latencia CAS | 46 |
La memoria Samsung M425R4GA3BB0-CWM es un módulo SO-DIMM DDR5 de 32GB diseñado para laptops y sistemas compactos que requieren un alto rendimiento y eficiencia. Este módulo opera a una velocidad impresionante de 5600 MHz, asegurando un rendimiento superior y capacidad de respuesta para aplicaciones intensivas y multitarea. Su formato SO-DIMM de 262 pines y diseño de perfil estándar lo hacen ideal para dispositivos con limitaciones de espacio.
Principales Características...
* Capacidad: 32GB.
* Velocidad: 5600 MHz.
* Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
* Corrección de Errores: Non-ECC.
* Voltaje: 1.1V.
* Número de Pines: 262.
* Organización: 2Rx8.
Modelo | M425R4GA3BB0-CWM |
Capacidad | 32GB |
Tipo de Memoria | DDR5 |
Velocidad | 5600 MHz |
Voltaje | 1.1V |
Corrección de Errores | Non-ECC |
Tipo de Módulo | SO-DIMM |
Número de Pines | 262 |
Organización | 2Rx8 |
Composición del Componente | (2G x 8) x 16 |
Latencia CAS | 46 |