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Samsung 16Gb DDR5 5600Mhz 1.1V
- Capacidad de 16 GB: Ideal para mejorar el rendimiento multitarea.
- Tecnología DDR5: Velocidad de hasta 5600 Mbps.
- Diseño UDIMM: Sin búfer para tiempos de respuesta rápidos.
- Configuración 1R x 8: Organización eficiente de datos.
- Latencia CAS CL46: Rendimiento consistente en tareas intensivas.
- Voltaje de 1.1 V: Eficiencia energética superior.
- Compatibilidad amplia: Integración sencilla con placas base DDR5.
de garantía
asegurado
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La memoria Samsung M323R2GA3PB0-CWM es un módulo DDR5 UDIMM diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en entornos domésticos y profesionales. Con una capacidad de 16 GB, garantiza una transferencia de datos ultra rápida con velocidades de hasta 5600 Mbps, ideal para tareas exigentes como edición de video, juegos y multitarea.
Fabricada con tecnología de última generación, esta memoria cuenta con una configuración 1R x 8 para mayor eficiencia y organización en la gestión de datos. Su operación a un bajo voltaje de 1.1 V mejora la eficiencia energética, reduciendo el consumo de energía y la generación de calor.
Este módulo destaca por su diseño sin búfer, lo que garantiza latencias reducidas y tiempos de respuesta óptimos. Su latencia CAS CL46 asegura un rendimiento consistente incluso bajo cargas de trabajo intensivas, adaptándose a las demandas de sistemas modernos.
Optimiza tu sistema con la Samsung M323R2GA3PB0-CWM y experimenta la velocidad y estabilidad que necesitas. Integra este módulo en tu equipo y lleva tu productividad al siguiente nivel.
Principales Características...
* Capacidad de 16 GB: Ideal para mejorar el rendimiento multitarea.
* Tecnología DDR5: Velocidad de hasta 5600 Mbps.
* Diseño UDIMM: Sin búfer para tiempos de respuesta rápidos.
* Configuración 1R x 8: Organización eficiente de datos.
* Latencia CAS CL46: Rendimiento consistente en tareas intensivas.
* Voltaje de 1.1 V: Eficiencia energética superior.
* Compatibilidad amplia: Integración sencilla con placas base DDR5.
| Tipo | DDR5 |
| Formato | DIMM |
| Capacidad | 16 GB |
| Velocidad | 5600 Mbps |
| Rank x Organización | 1R x 8 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Latencia CAS | CL46 |
| Compatibilidad | Placas base DDR5 |
La memoria Samsung M323R2GA3PB0-CWM es un módulo DDR5 UDIMM diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en entornos domésticos y profesionales. Con una capacidad de 16 GB, garantiza una transferencia de datos ultra rápida con velocidades de hasta 5600 Mbps, ideal para tareas exigentes como edición de video, juegos y multitarea.
Fabricada con tecnología de última generación, esta memoria cuenta con una configuración 1R x 8 para mayor eficiencia y organización en la gestión de datos. Su operación a un bajo voltaje de 1.1 V mejora la eficiencia energética, reduciendo el consumo de energía y la generación de calor.
Este módulo destaca por su diseño sin búfer, lo que garantiza latencias reducidas y tiempos de respuesta óptimos. Su latencia CAS CL46 asegura un rendimiento consistente incluso bajo cargas de trabajo intensivas, adaptándose a las demandas de sistemas modernos.
Optimiza tu sistema con la Samsung M323R2GA3PB0-CWM y experimenta la velocidad y estabilidad que necesitas. Integra este módulo en tu equipo y lleva tu productividad al siguiente nivel.
Principales Características...
* Capacidad de 16 GB: Ideal para mejorar el rendimiento multitarea.
* Tecnología DDR5: Velocidad de hasta 5600 Mbps.
* Diseño UDIMM: Sin búfer para tiempos de respuesta rápidos.
* Configuración 1R x 8: Organización eficiente de datos.
* Latencia CAS CL46: Rendimiento consistente en tareas intensivas.
* Voltaje de 1.1 V: Eficiencia energética superior.
* Compatibilidad amplia: Integración sencilla con placas base DDR5.
| Tipo | DDR5 |
| Formato | DIMM |
| Capacidad | 16 GB |
| Velocidad | 5600 Mbps |
| Rank x Organización | 1R x 8 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Latencia CAS | CL46 |
| Compatibilidad | Placas base DDR5 |
