Samsung 16Gb DDR5 5600Mhz 1.1V

La memoria Samsung M323R2GA3EB0-CWM está diseñada para brindar un rendimiento excepcional en equipos de escritorio y sistemas orientados al gaming. Gracias a su tecnología DDR5 y sus 16 GB de capacidad, este módulo es ideal para quienes buscan velocidad, eficiencia y estabilidad al ejecutar aplicaciones exigentes o videojuegos de última generación.

Con una frecuencia de 5600 MHz y arquitectura 1R x 8, este módulo UDIMM ofrece una respuesta rápida y fluida, reduciendo significativamente los tiempos de carga y mejorando la experiencia multitarea. Su voltaje de tan solo 1.1 V también contribuye a una mayor eficiencia energética, permitiendo mantener bajo control el consumo del sistema.

El diseño de 288 pines y la composición interna de (2Gx8)x8 aseguran una integración sin complicaciones en placas base modernas compatibles con DDR5. Esta memoria representa una excelente elección para usuarios que buscan una actualización potente y confiable para su equipo de escritorio.

Si buscas dar un salto en velocidad y rendimiento, la Samsung M323R2GA3EB0-CWM es una solución eficaz, duradera y lista para aprovechar todo el potencial de la nueva generación DDR5.

Principales características...

* Modelo: M323R2GA3EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
* Capacidad: 16Gb.
* Frecuencia: 5600MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): No.
* Configuración Registrada: No.
* Latencia CAS: CL46.