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Samsung 64Gb DDR5 5600Mhz 1.1V ECC
- Modelo: M321R8GA0EB0-CWM.
- Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
- Capacidad: 64Gb.
- Frecuencia: 5600MHz.
- ECC (Error-Correcting Code): Sí.
- Configuración Registrada: Sí.
- Latencia CAS: CL46.
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La memoria Samsung M321R8GA0EB0-CWM está diseñada para entornos de servidor de alto rendimiento, donde la velocidad, estabilidad y eficiencia energética son factores clave. Con una impresionante capacidad de 64 GB, este módulo DDR5 RDIMM es ideal para cargas de trabajo exigentes como análisis de grandes datos, virtualización avanzada y procesamiento intensivo en centros de datos modernos.
Este módulo cuenta con una frecuencia de 5600 MHz y soporte ECC (Error-Correcting Code), lo que asegura una transmisión de datos fiable y una reducción significativa en los errores de memoria, protegiendo la integridad de la información en aplicaciones críticas. Su arquitectura 2R x 4 y diseño de 288 pines garantizan una alta compatibilidad con servidores actuales.
Gracias a su bajo consumo energético con voltaje de 1.1 V y su composición de componentes (4Gx4)x40, ofrece un excelente equilibrio entre eficiencia y potencia, lo que contribuye a reducir los costos operativos y el impacto ambiental del hardware empresarial.
Confiar en la memoria Samsung M321R8GA0EB0-CWM es optar por una solución de calidad superior, preparada para soportar los retos tecnológicos del presente y del futuro. Una elección inteligente para empresas que buscan optimizar su infraestructura tecnológica sin comprometer el rendimiento.
Principales características...
* Modelo: M321R8GA0EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
* Capacidad: 64Gb.
* Frecuencia: 5600MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí.
* Latencia CAS: CL46.
| Capacidad | 64 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | RDIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | ECC, 2Rx4, 288 pines, (4Gx4)x40, para servidores |
La memoria Samsung M321R8GA0EB0-CWM está diseñada para entornos de servidor de alto rendimiento, donde la velocidad, estabilidad y eficiencia energética son factores clave. Con una impresionante capacidad de 64 GB, este módulo DDR5 RDIMM es ideal para cargas de trabajo exigentes como análisis de grandes datos, virtualización avanzada y procesamiento intensivo en centros de datos modernos.
Este módulo cuenta con una frecuencia de 5600 MHz y soporte ECC (Error-Correcting Code), lo que asegura una transmisión de datos fiable y una reducción significativa en los errores de memoria, protegiendo la integridad de la información en aplicaciones críticas. Su arquitectura 2R x 4 y diseño de 288 pines garantizan una alta compatibilidad con servidores actuales.
Gracias a su bajo consumo energético con voltaje de 1.1 V y su composición de componentes (4Gx4)x40, ofrece un excelente equilibrio entre eficiencia y potencia, lo que contribuye a reducir los costos operativos y el impacto ambiental del hardware empresarial.
Confiar en la memoria Samsung M321R8GA0EB0-CWM es optar por una solución de calidad superior, preparada para soportar los retos tecnológicos del presente y del futuro. Una elección inteligente para empresas que buscan optimizar su infraestructura tecnológica sin comprometer el rendimiento.
Principales características...
* Modelo: M321R8GA0EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
* Capacidad: 64Gb.
* Frecuencia: 5600MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí.
* Latencia CAS: CL46.
| Capacidad | 64 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | RDIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | ECC, 2Rx4, 288 pines, (4Gx4)x40, para servidores |
