Samsung 64Gb DDR5 5600Mhz 1.1V ECC

La memoria Samsung M321R8GA0PB0-CWM está diseñada para superar las exigencias de los entornos de servidores y estaciones de trabajo más desafiantes, ofreciendo un rendimiento superior y una confiabilidad inquebrantable. Este módulo DDR5 RDIMM, con capacidades avanzadas de corrección de errores ECC, se posiciona como la elección perfecta para aplicaciones empresariales críticas, virtualización densa y cargas de trabajo intensivas de análisis de datos.

Este módulo de memoria no solo impulsa las velocidades de procesamiento de datos para gestionar eficientemente tareas múltiples y complejas, sino que también maximiza la eficiencia energética, lo cual es fundamental en la reducción del coste total de operación de los centros de datos modernos. La tecnología DDR5 utilizada en el M321R8GA0PB0-CWM asegura una mejora significativa en el ancho de banda y la velocidad en comparación con las generaciones anteriores, mientras mantiene un consumo de energía reducido.

Samsung, como líder en la innovación de semiconductores, ha integrado en este módulo la tecnología ECC, que proporciona una capa adicional de protección de datos al corregir errores de bits en tiempo real, garantizando así la integridad de los datos y la continuidad del negocio. Este nivel de fiabilidad es esencial para sistemas que operan las 24 horas del día, los 7 días de la semana.

Al elegir la memoria Samsung M321R8GA0PB0-CWM para su infraestructura de TI, usted invierte en una solución que no solo satisface las necesidades actuales de rendimiento y eficiencia sino que también respalda el crecimiento futuro y la escalabilidad del sistema. Actualice su servidor o estación de trabajo con Samsung y experimente una operación sin precedentes que mantiene su negocio siempre adelante.

Principales características...

* Modelo: M321R8GA0PB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
* Capacidad: 64Gb.
* Frecuencia: 5600Mhz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí.
* Latencia CAS: CL46.