SSD 4Tb SanDisk Optimus GX PRO 850X NVMe M.2 Type 2280 con disipador

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Western Digital/Sandisk
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  • Capacidad de 4TB con memoria SanDisk TLC 3D NAND.
  • Interfaz PCIe 4.0 x4 con protocolo NVMe 1.4.
  • Formato M.2 2280 D5-M con disipador integrado.
  • Velocidad de lectura secuencial de hasta 7.300 MB/s.
  • Velocidad de escritura secuencial de hasta 6.600 MB/s.
  • Rendimiento aleatorio de hasta 1,2M IOPS lectura / 1,1M IOPS escritura.
  • Alta resistencia de hasta 2.400 TBW.

El SSD SanDisk Optimus GX PRO 850X NVMe de 4TB es una unidad de alto rendimiento diseñada para ordenadores gaming exigentes, estaciones de trabajo y consolas compatibles. Su formato M.2 2280 D5-M incorpora un disipador integrado que ayuda a mantener temperaturas estables y un rendimiento sostenido durante largas sesiones de juego y cargas de trabajo intensivas.

Gracias a su interfaz PCIe 4.0 x4 con protocolo NVMe 1.4, el Optimus GX PRO 850X alcanza velocidades de lectura secuencial de hasta 7.300 MB/s y escritura secuencial de hasta 6.600 MB/s. Su rendimiento aleatorio llega hasta 1.200.000 IOPS en lectura y 1.100.000 IOPS en escritura, ofreciendo tiempos de carga muy reducidos, multitarea fluida y acceso rápido a archivos de gran tamaño.

La versión de 4TB utiliza memoria SanDisk TLC 3D NAND e integra caché DRAM junto con tecnología SanDisk nCache 4.0 para mejorar la capacidad de respuesta. Su resistencia de 2.400 TBW permite afrontar grandes volúmenes de escritura, amplias bibliotecas de juegos y aplicaciones profesionales exigentes.

Gracias a su disipador integrado, gran capacidad y elevado rendimiento PCIe 4.0, el SanDisk Optimus GX PRO 850X de 4TB es una excelente solución para equipos gaming, estaciones de creación de contenido y consolas PS5 y PS5 Pro compatibles que necesitan almacenamiento rápido, fiable y térmicamente optimizado.

Principales Características

* Capacidad de 4TB con memoria SanDisk TLC 3D NAND.
* Interfaz PCIe 4.0 x4 con protocolo NVMe 1.4.
* Formato M.2 2280 D5-M con disipador integrado.
* Velocidad de lectura secuencial de hasta 7.300 MB/s.
* Velocidad de escritura secuencial de hasta 6.600 MB/s.
* Rendimiento aleatorio de hasta 1,2M IOPS lectura / 1,1M IOPS escritura.
* Alta resistencia de hasta 2.400 TBW.

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