SSD 4Tb Samsung 9100 Pro NVMe M.2 Type 2280

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Samsung
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  • Capacidad de 4TB con memoria Samsung V-NAND TLC.
  • Interfaz PCIe 5.0 x4 con protocolo NVMe 2.0.
  • Formato M.2 2280, ideal para entornos profesionales y gaming extremo.
  • Velocidades de hasta 14.800 MB/s lectura y 13.400 MB/s escritura.
  • Rendimiento aleatorio: 2.200.000 IOPS lectura / 2.600.000 IOPS escritura.
  • Durabilidad sobresaliente con 2400 TBW y MTBF de 1,5 millones de horas.
  • Soporte para TRIM, SMART y cifrado AES de 256 bits.

El SSD Samsung 9100 Pro NVMe de 4TB ofrece una combinación inigualable de capacidad masiva, velocidad extrema y fiabilidad avanzada. Diseñado para usuarios exigentes y entornos de alto rendimiento, este SSD en formato M.2 2280 es ideal para estaciones de trabajo, equipos gaming de élite y tareas de procesamiento intensivo de datos.

Equipado con la interfaz PCIe 5.0 x4 y compatible con NVMe 2.0, el 9100 Pro 4TB alcanza velocidades impresionantes de hasta 14.800 MB/s en lectura secuencial y 13.400 MB/s en escritura, superando los estándares de almacenamiento actuales. Además, ofrece un rendimiento aleatorio excepcional con 2.200.000 IOPS en lectura y 2.600.000 IOPS en escritura, lo que garantiza una experiencia fluida incluso en las tareas más exigentes.

Construido con memoria Samsung V-NAND TLC, un controlador de desarrollo propio y 4 GB de caché DDR4X, este SSD proporciona estabilidad, eficiencia energética y durabilidad superior. Su resistencia está garantizada con un TBW de 2400 y una fiabilidad de 1,5 millones de horas MTBF.

Compatible con tecnologías de seguridad y rendimiento como TRIM, S.M.A.R.T y cifrado AES de 256 bits, el Samsung 9100 Pro 4TB es la elección perfecta para quienes buscan lo mejor en almacenamiento de próxima generación.

Principales Características

* Capacidad de 4TB con memoria Samsung V-NAND TLC.
* Interfaz PCIe 5.0 x4 con protocolo NVMe 2.0.
* Formato M.2 2280, ideal para entornos profesionales y gaming extremo.
* Velocidades de hasta 14.800 MB/s lectura y 13.400 MB/s escritura.
* Rendimiento aleatorio: 2.200.000 IOPS lectura / 2.600.000 IOPS escritura.
* Durabilidad sobresaliente con 2400 TBW y MTBF de 1,5 millones de horas.
* Soporte para TRIM, SMART y cifrado AES de 256 bits.

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