SSD 3.84TB Kioxia CM7-R 2.5 PCIe/NVMe SIE

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Kioxia
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  • Capacidad de almacenamiento de 3.84TB.
  • Interfaz PCIe 5.0 y NVMe 2.0.
  • Velocidades de lectura/escritura secuencial de hasta 14,000 MB/s y 6,750 MB/s respectivamente.
  • Rendimiento de hasta 2,700K IOPS en lectura aleatoria y 310K IOPS en escritura aleatoria.
  • Memoria flash 3D TLC BiCS FLASH™ de 112 capas.
  • Durabilidad de 1 DWPD (escrituras por día).
  • Protección contra pérdida de energía y protección de datos de extremo a extremo.

El SSD Kioxia KCMYXRUG3T84 de la serie CM7-R es la elección ideal para empresas que buscan un rendimiento excepcional y una fiabilidad incomparable. Este disco sólido, con una capacidad de 3.84TB, está diseñado para aplicaciones intensivas en lectura, lo que lo hace perfecto para inteligencia empresarial, procesamiento de transacciones en línea y virtualización de almacenamiento definido por software.

Equipado con la última tecnología PCIe 5.0 y NVMe 2.0, el Kioxia KCMYXRUG3T84 ofrece velocidades asombrosas de hasta 14,000 MB/s en lectura secuencial y 6,750 MB/s en escritura secuencial. Además, cuenta con una impresionante tasa de IOPS de 2,700K en lectura aleatoria y 310K en escritura aleatoria, asegurando que tus operaciones empresariales se realicen a la velocidad de la innovación.

La tecnología de memoria flash 3D TLC BiCS FLASH™ de 112 capas de Kioxia no solo proporciona un rendimiento increíble, sino también una robusta durabilidad con 1 DWPD (escrituras por día). Este SSD está construido para soportar cargas de trabajo empresariales 24/7, garantizando fiabilidad y longevidad en entornos críticos.

No pierdas la oportunidad de llevar tu empresa a nuevos niveles de eficiencia y productividad con el SSD Kioxia KCMYXRUG3T84. Actualiza hoy mismo y experimenta una nueva era de excelencia en almacenamiento. ¡Haz tu pedido ahora!

Principales Características...

* Capacidad de almacenamiento de 3.84TB.
* Interfaz PCIe 5.0 y NVMe 2.0.
* Velocidades de lectura/escritura secuencial de hasta 14,000 MB/s y 6,750 MB/s respectivamente.
* Rendimiento de hasta 2,700K IOPS en lectura aleatoria y 310K IOPS en escritura aleatoria.
* Memoria flash 3D TLC BiCS FLASH™ de 112 capas.
* Durabilidad de 1 DWPD (escrituras por día).
* Protección contra pérdida de energía y protección de datos de extremo a extremo.

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