SSD 2Tb Samsung 990 NVMe M.2 Type 2280

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Samsung
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  • Capacidad de 2TB con tecnología Samsung V-NAND.
  • Interfaz PCIe 4.0 x4 con protocolo NVMe 2.0.
  • Formato compacto M.2 2280.
  • Velocidad de lectura secuencial de hasta 7.250 MB/s.
  • Velocidad de escritura secuencial de hasta 6.450 MB/s.
  • Rendimiento aleatorio de hasta 850K IOPS lectura / 1,2M IOPS escritura.
  • Resistencia de hasta 800 TBW.

El SSD Samsung 990 NVMe de 2TB está diseñado para ordenadores gaming, portátiles y consolas portátiles que necesitan almacenamiento rápido con una elevada eficiencia energética. Su compacto formato M.2 2280 y la tecnología Samsung V-NAND proporcionan una solución potente para grandes bibliotecas de juegos, aplicaciones profesionales y cargas multimedia exigentes.

Equipado con una interfaz PCIe 4.0 x4 y protocolo NVMe 2.0, el Samsung 990 alcanza velocidades de lectura secuencial de hasta 7.250 MB/s y escritura secuencial de hasta 6.450 MB/s. En operaciones aleatorias ofrece hasta 850.000 IOPS en lectura y 1.200.000 IOPS en escritura, permitiendo reducir los tiempos de carga, mejorar la multitarea y acelerar el acceso a archivos de gran tamaño.

El Samsung 990 de 2TB combina altas prestaciones con un consumo energético optimizado mediante un controlador desarrollado por Samsung y tecnología HMB (Host Memory Buffer). Ofrece una resistencia de 800 TBW y un MTBF de 1,5 millones de horas, resultando adecuado para un uso intensivo en gaming, creación de contenido y productividad.

Además, incorpora soporte para TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection y cifrado AES de 256 bits, ofreciendo funciones avanzadas de rendimiento, supervisión y protección de datos. El Samsung 990 representa así una excelente actualización para sistemas que necesitan almacenamiento NVMe PCIe 4.0 rápido, eficiente y fiable.

Principales Características

* Capacidad de 2TB con tecnología Samsung V-NAND.
* Interfaz PCIe 4.0 x4 con protocolo NVMe 2.0.
* Formato compacto M.2 2280.
* Velocidad de lectura secuencial de hasta 7.250 MB/s.
* Velocidad de escritura secuencial de hasta 6.450 MB/s.
* Rendimiento aleatorio de hasta 850K IOPS lectura / 1,2M IOPS escritura.
* Resistencia de hasta 800 TBW.

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