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SSD 1Tb Samsung 860 EVO mSATA
- Rendimiento mejorado, incluso con grandes cargas de trabajo.
- Lectura secuencial de hasta 550Mb/s.
- Escritura secuencial de hasta 520Mb/s.
- Almacena de forma segura y renderiza sin problemas.
- Benefíciate de una comunicación más rápida y fluida con tu equipo.
El precio que aparece es orientativo
personalizada
asegurado
pago seguro
Te presentamos la nueva versión del SSD SATA líder de ventas, el Samsung 860 EVO. Diseñado para ordenadores y portátiles de alta gama, el nuevo SSD cuenta con la última tecnología V-NAND Samsung y un robusto controlador basado en algoritmos, y está disponible en distintos formatos y capacidades.
Disfruta de una velocidad constante incluso con grandes cargas de trabajo y multitarea. La unidad SSD 860 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de escritura de hasta 520 MB/s gracias a la tecnología Intelligent TurboWrite , y una velocidad de escritura secuencial de hasta 550 MB/s. El tamaño del buffer TurboWrite se ha mejorado de 12 GB a 78 GB, ofreciéndote una transferencia de archivos más rápida.
Almacena de forma segura y renderiza sin problemas vídeos y datos 3D utilizados por las últimas aplicaciones, hasta 8 veces más TBW (Terabytes escritos)* que el modelo anterior 850 EVO. La última tecnología V-NAND ofrece una fiabilidad líder del mercado con 5 años de garantía o 2.400 TBW.
Principales Características...
* Disco de estado sólido, capacidad: 250 GB.
* Factor de forma de disco SSD: mSATA.
* Interfaces de disco de estado sólido: mini-SATA.
| Características generales | |
| Capacidad | 1000Gb |
| Formato | 2.5 pulgadas |
| Interfaz | Interfaz SATA 6 Gb/s, compatible con SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s |
| Dimensiones | (29.85±0.15) x (50.80±0.15) x Max 3.85 (mm) |
| Peso | Máx. 8.5g |
| Tipo NAND | Samsung V-NAND 3bit MLC |
| Controlador | Samsung MJX Controller |
| Memoria caché | Samsung 1Gb Low Power DDR4 SDRAM |
| Características especiales | |
| Soporte TRIM | TRIM |
| Soporte S.M.A.R.T. | S.M.A.R.T. |
| GC | Auto Garbage Coolection Algorithm |
| Encriptación | AES 256-bit |
| Soporte Modo supensión | Si |
| Rendimiento | |
| Lectura secuencial | Hasta 500Mb/s |
| Escritura secuencial | Hasta 520Mb/s |
| Lectura aleatoria (4KB, QD32) | Hasta 97.000IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB, QD32) | Hasta 88.000IOPS |
| Lectura aleatoria (4KB, QD1) | Hasta 10.000IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB, QD1) | Hasta 42.000IOPS random Write |
| Entorno | |
| Consumo de Energía | Máximo 4.5W |
| Durabilidad | 1.5 Millón de horas |
| Temperatura | 0 - 70ºC |
| Golpes | 1.500 G & 0.5 ms |
Te presentamos la nueva versión del SSD SATA líder de ventas, el Samsung 860 EVO. Diseñado para ordenadores y portátiles de alta gama, el nuevo SSD cuenta con la última tecnología V-NAND Samsung y un robusto controlador basado en algoritmos, y está disponible en distintos formatos y capacidades.
Disfruta de una velocidad constante incluso con grandes cargas de trabajo y multitarea. La unidad SSD 860 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de escritura de hasta 520 MB/s gracias a la tecnología Intelligent TurboWrite , y una velocidad de escritura secuencial de hasta 550 MB/s. El tamaño del buffer TurboWrite se ha mejorado de 12 GB a 78 GB, ofreciéndote una transferencia de archivos más rápida.
Almacena de forma segura y renderiza sin problemas vídeos y datos 3D utilizados por las últimas aplicaciones, hasta 8 veces más TBW (Terabytes escritos)* que el modelo anterior 850 EVO. La última tecnología V-NAND ofrece una fiabilidad líder del mercado con 5 años de garantía o 2.400 TBW.
Principales Características...
* Disco de estado sólido, capacidad: 250 GB.
* Factor de forma de disco SSD: mSATA.
* Interfaces de disco de estado sólido: mini-SATA.
| Características generales | |
| Capacidad | 1000Gb |
| Formato | 2.5 pulgadas |
| Interfaz | Interfaz SATA 6 Gb/s, compatible con SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s |
| Dimensiones | (29.85±0.15) x (50.80±0.15) x Max 3.85 (mm) |
| Peso | Máx. 8.5g |
| Tipo NAND | Samsung V-NAND 3bit MLC |
| Controlador | Samsung MJX Controller |
| Memoria caché | Samsung 1Gb Low Power DDR4 SDRAM |
| Características especiales | |
| Soporte TRIM | TRIM |
| Soporte S.M.A.R.T. | S.M.A.R.T. |
| GC | Auto Garbage Coolection Algorithm |
| Encriptación | AES 256-bit |
| Soporte Modo supensión | Si |
| Rendimiento | |
| Lectura secuencial | Hasta 500Mb/s |
| Escritura secuencial | Hasta 520Mb/s |
| Lectura aleatoria (4KB, QD32) | Hasta 97.000IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB, QD32) | Hasta 88.000IOPS |
| Lectura aleatoria (4KB, QD1) | Hasta 10.000IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB, QD1) | Hasta 42.000IOPS random Write |
| Entorno | |
| Consumo de Energía | Máximo 4.5W |
| Durabilidad | 1.5 Millón de horas |
| Temperatura | 0 - 70ºC |
| Golpes | 1.500 G & 0.5 ms |
