SSD 1Tb Corsair MP600 Core NVMe M.2 Type 2280

SSD 1Tb Corsair MP600 Core NVMe M.2 Type 2280

Corsair
  • Factor de forma de disco SSD: M.2
  • SDD, capacidad: 1000 GB
  • Interfaz: PCI Express 4.0
  • Tipo de memoria: QLC 3D NAND
  • NVMe: Si
  • Encriptación de hardware: Si
  • Lectura aleatoria (4KB): 200000 IOPS
  • Escritura aleatoria (4KB): 480000 IOPS
  • Velocidad de lectura secuencial (CDM): 4700 MB/s
  • Velocidad de escritura secuencial (CDM): 1950 MB/s

P/N: CSSD-F1000GBMP600COR - EAN/UPC: 0840006635246

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La unidad SSD CORSAIR MP600 CORE Gen4 PCIe x4 NVMe M.2 proporciona un rendimiento de almacenamiento extremo, utilizando la tecnología Gen4 PCIe para alcanzar velocidades de lectura secuencial de hasta 4.950 MB/seg.

Una controladora PCIe Gen4 x4 ofrece velocidades de lectura secuencial de hasta 4.950 MB/s y de escritura secuencial de 3.950 MB/s, para lograr tiempos de lectura, escritura y respuesta rapidísimos*.

Interfaz Gen4 PCIe x4 NVMe M.2 de alta velocidad: Utilizando la tecnología PCIe Gen4 para obtener el máximo ancho de banda, el MP600 CORE ofrece un increíble rendimiento de almacenamiento.

Dispersor de calor de aluminio incorporado: Ayuda a dispersar el calor y a reducir la ralentización, para que su SSD mantenga un alto rendimiento sostenido. NAND 3D QLC de alta densidad: Ofrece un valor aún mejor que la generación anterior de NAND TLC, almacenando más datos en la misma cantidad de espacio físico.

Gran resistencia: El MP600 CORE almacena de forma fiable sus datos durante años de uso con una resistencia de hasta 1.440TB escritos.  Factor de forma M.2 2280: Se adapta directamente a su placa base sin necesidad de cables.

Principales Características...

* Factor de forma de disco SSD: M.2.
* SDD, capacidad: 1000 GB.
* Velocidad de lectura secuencial (CDM): 4700 MB/s.
* Velocidad de escritura secuencial (CDM): 1950 MB/s
* Interfaz: PCI Express 4.0.

CARACTERÍSTICAS
Factor de forma de disco SSD M.2
SDD, capacidad 1000 GB
Interfaz PCI Express 4.0
Tipo de memoria QLC 3D NAND
NVMe Si
Encriptación de hardware Si
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Lectura aleatoria (4KB) 200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB) 480000 IOPS
Velocidad de lectura secuencial (CDM) 4700 MB/s
Velocidad de escritura secuencial (CDM) 1950 MB/s
Soporte S.M.A.R.T. Si
Tiempo medio entre fallos 1800000 h
calificación TBW 225
CONTROL DE ENERGÍA
Voltaje de operación 3,3 V
CONDICIONES AMBIENTALES
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -40 - 85 °C
Golpes en funcionamiento 1500 G
PESO Y DIMENSIONES
Ancho 23 mm
Profundidad 80 mm
Altura 15 mm
Peso 34g

La unidad SSD CORSAIR MP600 CORE Gen4 PCIe x4 NVMe M.2 proporciona un rendimiento de almacenamiento extremo, utilizando la tecnología Gen4 PCIe para alcanzar velocidades de lectura secuencial de hasta 4.950 MB/seg.

Una controladora PCIe Gen4 x4 ofrece velocidades de lectura secuencial de hasta 4.950 MB/s y de escritura secuencial de 3.950 MB/s, para lograr tiempos de lectura, escritura y respuesta rapidísimos*.

Interfaz Gen4 PCIe x4 NVMe M.2 de alta velocidad: Utilizando la tecnología PCIe Gen4 para obtener el máximo ancho de banda, el MP600 CORE ofrece un increíble rendimiento de almacenamiento.

Dispersor de calor de aluminio incorporado: Ayuda a dispersar el calor y a reducir la ralentización, para que su SSD mantenga un alto rendimiento sostenido. NAND 3D QLC de alta densidad: Ofrece un valor aún mejor que la generación anterior de NAND TLC, almacenando más datos en la misma cantidad de espacio físico.

Gran resistencia: El MP600 CORE almacena de forma fiable sus datos durante años de uso con una resistencia de hasta 1.440TB escritos.  Factor de forma M.2 2280: Se adapta directamente a su placa base sin necesidad de cables.

Principales Características...

* Factor de forma de disco SSD: M.2.
* SDD, capacidad: 1000 GB.
* Velocidad de lectura secuencial (CDM): 4700 MB/s.
* Velocidad de escritura secuencial (CDM): 1950 MB/s
* Interfaz: PCI Express 4.0.

CARACTERÍSTICAS
Factor de forma de disco SSD M.2
SDD, capacidad 1000 GB
Interfaz PCI Express 4.0
Tipo de memoria QLC 3D NAND
NVMe Si
Encriptación de hardware Si
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Lectura aleatoria (4KB) 200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB) 480000 IOPS
Velocidad de lectura secuencial (CDM) 4700 MB/s
Velocidad de escritura secuencial (CDM) 1950 MB/s
Soporte S.M.A.R.T. Si
Tiempo medio entre fallos 1800000 h
calificación TBW 225
CONTROL DE ENERGÍA
Voltaje de operación 3,3 V
CONDICIONES AMBIENTALES
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -40 - 85 °C
Golpes en funcionamiento 1500 G
PESO Y DIMENSIONES
Ancho 23 mm
Profundidad 80 mm
Altura 15 mm
Peso 34g


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