Samsung 8Gb So-DIMM DDR5 5600Mhz 1.1V
- Capacidad de 8 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
- Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
- SO-DIMM: Formato compacto ideal para portátiles y sistemas con espacio limitado.
- Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
- Configuración 1R x 16: Single Rank con organización x16 para una gestión eficiente de los datos.
- Latencia CAS CL46: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
- Compatibilidad amplia: Compatible con dispositivos que soportan DDR5, facilitando su integración.
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La memoria Samsung M425R1GB4PB0-CWM es un módulo DDR5 SO-DIMM de 8 GB, diseñado para mejorar el rendimiento de portátiles y sistemas compactos. Con una velocidad de transferencia de hasta 5600 Mbps, garantiza una respuesta rápida y eficiente en aplicaciones exigentes como edición de video, juegos y multitarea intensiva.
Este módulo opera a un voltaje de 1.1 V, lo que contribuye a una mayor eficiencia energética y menor generación de calor, prolongando la vida útil del hardware. La configuración de 1R x 16 (Single Rank x16) permite una gestión eficiente de los datos, mejorando la estabilidad y el rendimiento general del sistema.
La Samsung M425R1GB4PB0-CWM es compatible con una amplia gama de dispositivos que soportan DDR5, facilitando su integración en sistemas existentes o nuevos. Su diseño sin búfer la hace adecuada para aplicaciones que requieren acceso rápido a la memoria, como juegos, edición de video y tareas de diseño gráfico.
Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu sistema, la Samsung M425R1GB4PB0-CWM es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu equipo con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.
Principales Características...
* Capacidad de 8 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
* Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* SO-DIMM: Formato compacto ideal para portátiles y sistemas con espacio limitado.
* Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
* Configuración 1R x 16: Single Rank con organización x16 para una gestión eficiente de los datos.
* Latencia CAS CL46: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
* Compatibilidad amplia: Compatible con dispositivos que soportan DDR5, facilitando su integración.
Tipo | DDR5 |
Formato | SO-DIMM |
Capacidad | 8 GB |
Velocidad | 5600 Mbps |
Rank x Organización | 1R x 16 |
Composición | (1G x 16) x 4 |
Número de pines | 262 |
Voltaje | 1.1 V |
Latencia CAS | CL46 |
La memoria Samsung M425R1GB4PB0-CWM es un módulo DDR5 SO-DIMM de 8 GB, diseñado para mejorar el rendimiento de portátiles y sistemas compactos. Con una velocidad de transferencia de hasta 5600 Mbps, garantiza una respuesta rápida y eficiente en aplicaciones exigentes como edición de video, juegos y multitarea intensiva.
Este módulo opera a un voltaje de 1.1 V, lo que contribuye a una mayor eficiencia energética y menor generación de calor, prolongando la vida útil del hardware. La configuración de 1R x 16 (Single Rank x16) permite una gestión eficiente de los datos, mejorando la estabilidad y el rendimiento general del sistema.
La Samsung M425R1GB4PB0-CWM es compatible con una amplia gama de dispositivos que soportan DDR5, facilitando su integración en sistemas existentes o nuevos. Su diseño sin búfer la hace adecuada para aplicaciones que requieren acceso rápido a la memoria, como juegos, edición de video y tareas de diseño gráfico.
Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu sistema, la Samsung M425R1GB4PB0-CWM es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu equipo con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.
Principales Características...
* Capacidad de 8 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
* Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* SO-DIMM: Formato compacto ideal para portátiles y sistemas con espacio limitado.
* Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
* Configuración 1R x 16: Single Rank con organización x16 para una gestión eficiente de los datos.
* Latencia CAS CL46: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
* Compatibilidad amplia: Compatible con dispositivos que soportan DDR5, facilitando su integración.
Tipo | DDR5 |
Formato | SO-DIMM |
Capacidad | 8 GB |
Velocidad | 5600 Mbps |
Rank x Organización | 1R x 16 |
Composición | (1G x 16) x 4 |
Número de pines | 262 |
Voltaje | 1.1 V |
Latencia CAS | CL46 |