Samsung 8Gb So-DIMM DDR5 5600Mhz 1.1V

Samsung 8Gb So-DIMM DDR5 5600Mhz 1.1V

Samsung
  • Capacidad de 8 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
  • Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
  • SO-DIMM: Formato compacto ideal para portátiles y sistemas con espacio limitado.
  • Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
  • Configuración 1R x 16: Single Rank con organización x16 para una gestión eficiente de los datos.
  • Latencia CAS CL46: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
  • Compatibilidad amplia: Compatible con dispositivos que soportan DDR5, facilitando su integración.

P/N: M425R1GB4PB0-CWM

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La memoria Samsung M425R1GB4PB0-CWM es un módulo DDR5 SO-DIMM de 8 GB, diseñado para mejorar el rendimiento de portátiles y sistemas compactos. Con una velocidad de transferencia de hasta 5600 Mbps, garantiza una respuesta rápida y eficiente en aplicaciones exigentes como edición de video, juegos y multitarea intensiva.

Este módulo opera a un voltaje de 1.1 V, lo que contribuye a una mayor eficiencia energética y menor generación de calor, prolongando la vida útil del hardware. La configuración de 1R x 16 (Single Rank x16) permite una gestión eficiente de los datos, mejorando la estabilidad y el rendimiento general del sistema.

La Samsung M425R1GB4PB0-CWM es compatible con una amplia gama de dispositivos que soportan DDR5, facilitando su integración en sistemas existentes o nuevos. Su diseño sin búfer la hace adecuada para aplicaciones que requieren acceso rápido a la memoria, como juegos, edición de video y tareas de diseño gráfico.

Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu sistema, la Samsung M425R1GB4PB0-CWM es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu equipo con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.

Principales Características...

* Capacidad de 8 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
* Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* SO-DIMM: Formato compacto ideal para portátiles y sistemas con espacio limitado.
* Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
* Configuración 1R x 16: Single Rank con organización x16 para una gestión eficiente de los datos.
* Latencia CAS CL46: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
* Compatibilidad amplia: Compatible con dispositivos que soportan DDR5, facilitando su integración.

Tipo DDR5
Formato SO-DIMM
Capacidad 8 GB
Velocidad 5600 Mbps
Rank x Organización 1R x 16
Composición (1G x 16) x 4
Número de pines 262
Voltaje 1.1 V
Latencia CAS CL46

La memoria Samsung M425R1GB4PB0-CWM es un módulo DDR5 SO-DIMM de 8 GB, diseñado para mejorar el rendimiento de portátiles y sistemas compactos. Con una velocidad de transferencia de hasta 5600 Mbps, garantiza una respuesta rápida y eficiente en aplicaciones exigentes como edición de video, juegos y multitarea intensiva.

Este módulo opera a un voltaje de 1.1 V, lo que contribuye a una mayor eficiencia energética y menor generación de calor, prolongando la vida útil del hardware. La configuración de 1R x 16 (Single Rank x16) permite una gestión eficiente de los datos, mejorando la estabilidad y el rendimiento general del sistema.

La Samsung M425R1GB4PB0-CWM es compatible con una amplia gama de dispositivos que soportan DDR5, facilitando su integración en sistemas existentes o nuevos. Su diseño sin búfer la hace adecuada para aplicaciones que requieren acceso rápido a la memoria, como juegos, edición de video y tareas de diseño gráfico.

Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu sistema, la Samsung M425R1GB4PB0-CWM es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu equipo con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.

Principales Características...

* Capacidad de 8 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
* Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* SO-DIMM: Formato compacto ideal para portátiles y sistemas con espacio limitado.
* Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
* Configuración 1R x 16: Single Rank con organización x16 para una gestión eficiente de los datos.
* Latencia CAS CL46: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
* Compatibilidad amplia: Compatible con dispositivos que soportan DDR5, facilitando su integración.

Tipo DDR5
Formato SO-DIMM
Capacidad 8 GB
Velocidad 5600 Mbps
Rank x Organización 1R x 16
Composición (1G x 16) x 4
Número de pines 262
Voltaje 1.1 V
Latencia CAS CL46


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