
- Capacidad: 8GB.
- Velocidad: 3200 MHz.
- Voltaje: 1.2V.
- Latencia CAS: 21.
- Tipo de Memoria: DDR4 SO-DIMM.
- Organización: 1Rx8.
- Pines: 260.
La memoria Samsung M471A1K43EB1-CWE es un módulo SO-DIMM DDR4 de 8GB diseñado para laptops y otros dispositivos compactos. Funciona a una velocidad de 3200 MHz, ofreciendo un rendimiento sólido para tareas cotidianas y aplicaciones más exigentes. Su tamaño compacto y diseño eficiente la convierten en una excelente opción para actualizar y mejorar el rendimiento de tu dispositivo sin ocupar mucho espacio.
Este módulo de memoria se destaca por su tecnología de bajo voltaje, operando a 1.2V, lo que ayuda a reducir el consumo de energía y aumentar la eficiencia del sistema. Además, cuenta con una latencia CAS de 21, asegurando una respuesta rápida y eficiente en diversas aplicaciones. Su construcción en base a estándares JEDEC garantiza la compatibilidad con una amplia gama de dispositivos y plataformas.
Diseñada para ofrecer un rendimiento confiable y estable, esta memoria de Samsung utiliza una organización de 1Rx8 y está equipada con 8 chips DRAM de 1Gx8, lo que contribuye a su capacidad de 8GB. Es una memoria no ECC y no búfer, lo que significa que está optimizada para aplicaciones que no requieren corrección de errores, proporcionando así un rendimiento rápido y sin complicaciones para usuarios domésticos y profesionales.
No dejes que tu dispositivo quede rezagado. Con la memoria SO-DIMM DDR4 de Samsung, puedes asegurar una mejora significativa en la velocidad y capacidad de respuesta de tu laptop, permitiéndote manejar múltiples tareas y aplicaciones demandantes con facilidad. ¡Mejora tu sistema hoy mismo y experimenta el poder de un rendimiento avanzado!
Principales Características...
* Capacidad: 8GB.
* Velocidad: 3200 MHz.
* Voltaje: 1.2V.
* Latencia CAS: 21.
* Tipo de Memoria: DDR4 SO-DIMM.
* Organización: 1Rx8.
* Pines: 260.
Entrega aproximada el Wednesday, July 01
Recuerda que la fecha de entrega es orientativa
