English Samsung 8Gb SO-DIMM DDR4 2666Mhz 1.2V
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Samsung 8Gb SO-DIMM DDR4 2666Mhz 1.2V
- Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
- Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
- Tipo de memoria interna: DDR4 SO-DIMM.
- Latencia CAS: CL19.
- Voltaje de la memoria: 1.2 V.
P/N: M471A1K43CB1-CTD - EAN/UPC: 4260580370849
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(RAM SO-DIMM DDR4 8GB / PC2666 /UB/ Samsung)
Principales Características...
* Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: DDR4 SO-DIMM.
* Latencia CAS: CL19.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.
| Latencia CAS | 19 |
| Memoria interna | 8 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR4 |
| Velocidad de memoria del reloj | 2666 MHz |
| Componente para | PORTATIL |
| Forma de factor de memoria | SO-DIMM |
| Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
| Voltaje de memoria | 1.2 |
(RAM SO-DIMM DDR4 8GB / PC2666 /UB/ Samsung)
Principales Características...
* Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: DDR4 SO-DIMM.
* Latencia CAS: CL19.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.
| Latencia CAS | 19 |
| Memoria interna | 8 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR4 |
| Velocidad de memoria del reloj | 2666 MHz |
| Componente para | PORTATIL |
| Forma de factor de memoria | SO-DIMM |
| Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
| Voltaje de memoria | 1.2 |
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