Samsung 8Gb SO-DIMM DDR4 2666Mhz 1.2V

Samsung 8Gb SO-DIMM DDR4 2666Mhz 1.2V

Samsung
  • Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
  • Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
  • Tipo de memoria interna: DDR4 SO-DIMM.
  • Latencia CAS: CL19.
  • Voltaje de la memoria: 1.2 V.

P/N: M471A1K43CB1-CTD - EAN/UPC: 4260580370849

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(RAM SO-DIMM DDR4 8GB / PC2666 /UB/ Samsung)

Principales Características...

* Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: DDR4 SO-DIMM.
* Latencia CAS: CL19.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.

Latencia CAS 19  
Memoria interna 8  GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8  GB
Tipo de memoria interna DDR4  
Velocidad de memoria del reloj 2666  MHz
Componente para PORTATIL
Forma de factor de memoria SO-DIMM
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)  
Voltaje de memoria 1.2  

(RAM SO-DIMM DDR4 8GB / PC2666 /UB/ Samsung)

Principales Características...

* Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: DDR4 SO-DIMM.
* Latencia CAS: CL19.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.

Latencia CAS 19  
Memoria interna 8  GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8  GB
Tipo de memoria interna DDR4  
Velocidad de memoria del reloj 2666  MHz
Componente para PORTATIL
Forma de factor de memoria SO-DIMM
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)  
Voltaje de memoria 1.2