Español Samsung 8Gb DDR4 2933Mhz RDIMM 1.2V ECC
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Samsung 8Gb DDR4 2933Mhz RDIMM 1.2V ECC
Memory layout: 1 x 8Gb.
Memory Clock Speed: 2933 MHz.
Internal memory type: DDR4.
ECC: Yes.
Memory voltage: 1.2 V.
CAS Latency: CL21.
P/N: M393A1K43DB1-CVF - EAN/UPC: 8592978271527
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SAMSUNG 8GB DDR4-2933 RDIMM ECC Registered CL21.
Highlights....
* Memory design: 1 x 8Gb.
* Memory clock speed: 2933 MHz.
* Internal memory type: DDR4.
* ECC: Yes.
* Memory voltage: 1.2 V.
| Latencia CAS | 21 |
| Memoria interna | 8 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR4 |
| Velocidad de memoria del reloj | 2933 MHz |
| Componente para | PC/server |
| Forma de factor de memoria | 288-pin DIMM |
| Tipo de memoria con búfer | Registered (buffered) |
| ECC | Si |
| Clasificación de memoria | 1 |
| Voltaje de memoria | 1.2 |
SAMSUNG 8GB DDR4-2933 RDIMM ECC Registered CL21.
Highlights....
* Memory design: 1 x 8Gb.
* Memory clock speed: 2933 MHz.
* Internal memory type: DDR4.
* ECC: Yes.
* Memory voltage: 1.2 V.
| Latencia CAS | 21 |
| Memoria interna | 8 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR4 |
| Velocidad de memoria del reloj | 2933 MHz |
| Componente para | PC/server |
| Forma de factor de memoria | 288-pin DIMM |
| Tipo de memoria con búfer | Registered (buffered) |
| ECC | Si |
| Clasificación de memoria | 1 |
| Voltaje de memoria | 1.2 |
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