Samsung 8Gb DDR4 2666Mhz UDIMM 1.2V ECC
Samsung 8Gb DDR4 2666Mhz UDIMM 1.2V ECC
- Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
- Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
- Tipo de memoria interna: DDR4.
- ECC: Si.
- Voltaje de la memoria: 1.2 V.
P/N: M391A1K43BB2-CTD - EAN/UPC: 7640143873005
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Tamaño de memoria | |
Frecuencia memoria | |
Tipo de memoria | |
Latencia | |
Voltaje | |
ECC |
SAMSUNG 8GB DDR4-2666 UDIMM ECC Unbuffered CL19.
Principales Características...
* Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: DDR4.
* ECC: Si.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.
Latencia CAS | 17 |
Memoria interna | 8 GB |
Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
Tipo de memoria interna | DDR4 |
Velocidad de memoria del reloj | 2666 MHz |
Componente para | PC/server |
Forma de factor de memoria | UDIMM |
Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
ECC | Si |
Clasificación de memoria | 1 |
Voltaje de memoria | 1.2 |
SAMSUNG 8GB DDR4-2666 UDIMM ECC Unbuffered CL19.
Principales Características...
* Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: DDR4.
* ECC: Si.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.
Latencia CAS | 17 |
Memoria interna | 8 GB |
Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
Tipo de memoria interna | DDR4 |
Velocidad de memoria del reloj | 2666 MHz |
Componente para | PC/server |
Forma de factor de memoria | UDIMM |
Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
ECC | Si |
Clasificación de memoria | 1 |
Voltaje de memoria | 1.2 |
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