Samsung 8Gb DDR4 2666Mhz UDIMM 1.2V ECC

Samsung 8Gb DDR4 2666Mhz UDIMM 1.2V ECC

Samsung
  • Memory layout: 1 x 8Gb.
  • Memory Clock Speed: 2666 MHz.
  • Internal memory type: DDR4.
  • ECC: Yes.
  • Memory voltage: 1.2 V.

P/N: M391A1K43BB2-CTD - EAN/UPC: 7640143873005

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SAMSUNG 8GB DDR4-2666 UDIMM ECC Unbuffered CL19.

HIghlights....

* Memory design: 1 x 8Gb.
* Memory clock speed: 2666 MHz.
* Internal memory type: DDR4.
* ECC: Yes.
* Memory voltage: 1.2 V.
 

Latencia CAS 17  
Memoria interna 8  GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8  GB
Tipo de memoria interna DDR4  
Velocidad de memoria del reloj 2666  MHz
Componente para PC/server  
Forma de factor de memoria UDIMM  
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)  
ECC Si  
Clasificación de memoria 1  
Voltaje de memoria 1.2  

SAMSUNG 8GB DDR4-2666 UDIMM ECC Unbuffered CL19.

HIghlights....

* Memory design: 1 x 8Gb.
* Memory clock speed: 2666 MHz.
* Internal memory type: DDR4.
* ECC: Yes.
* Memory voltage: 1.2 V.
 

Latencia CAS 17  
Memoria interna 8  GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8  GB
Tipo de memoria interna DDR4  
Velocidad de memoria del reloj 2666  MHz
Componente para PC/server  
Forma de factor de memoria UDIMM  
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)  
ECC Si  
Clasificación de memoria 1  
Voltaje de memoria 1.2