Samsung 8Gb DDR4 2666Mhz UDIMM ECC. Memoria RAM

Samsung 8Gb DDR4 2666Mhz UDIMM 1.2V ECC

Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
Tipo de memoria interna: DDR4.
ECC: Si.
Voltaje de la memoria: 1.2 V.

P/N: M391A1K43BB2-CTD - EAN/UPC: 7640143873005

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SAMSUNG 8GB DDR4-2666 UDIMM ECC Unbuffered CL19.

Principales Características...

* Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: DDR4.
* ECC: Si.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.

Latencia CAS	17
Memoria interna	8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)	1 x 8 GB
Tipo de memoria interna	DDR4
Velocidad de memoria del reloj	2666 MHz
Componente para	PC/server
Forma de factor de memoria	UDIMM
Tipo de memoria con búfer	Unregistered (unbuffered)
ECC	Si
Clasificación de memoria	1
Voltaje de memoria	1.2

SAMSUNG 8GB DDR4-2666 UDIMM ECC Unbuffered CL19.

Principales Características...

* Diseño de memoria: 1 x 8Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: DDR4.
* ECC: Si.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.

Latencia CAS	17
Memoria interna	8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)	1 x 8 GB
Tipo de memoria interna	DDR4
Velocidad de memoria del reloj	2666 MHz
Componente para	PC/server
Forma de factor de memoria	UDIMM
Tipo de memoria con búfer	Unregistered (unbuffered)
ECC	Si
Clasificación de memoria	1
Voltaje de memoria	1.2