
- Diseño de memoria: 8 x 8Gb.
- Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
- Tipo de memoria interna: DDR4 DIMM.
- Memoria interna: 64Gb.
- Voltaje de la memoria: 1.2 V.
- Diseño de memoria: 8 x 8Gb.
SAMSUNG 64GB DDR4-2666 LRDIMM ECC Registered CL19 Quad Rank
Principales Características...
* Diseño de memoria: 8 x 8Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: DDR4 DIMM.
* Memoria interna: 64Gb.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.
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