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Samsung 32Gb DDR5 5600Mhz 1.1V
- Modelo: M321R4GA3EB0-CWM.
- Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
- Capacidad: 32Gb.
- Frecuencia: 5600MHz.
- ECC (Error-Correcting Code): Sí.
- Configuración Registrada: Sí.
- Latencia CAS: CL46.
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La memoria Samsung M321R4GA3EB0-CWM es una solución avanzada diseñada para los entornos de servidor más exigentes, brindando una combinación perfecta de rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Este módulo DDR5 RDIMM de 32 GB ofrece una velocidad de transferencia de hasta 5600 MHz, ideal para cargas de trabajo críticas como virtualización, bases de datos y procesamiento intensivo de datos.
Con soporte para corrección de errores ECC y una configuración de 2R x 8, garantiza una mayor estabilidad operativa y protección de los datos frente a errores. Su arquitectura robusta y compatibilidad con plataformas modernas lo convierten en una opción estratégica para entornos empresariales que requieren operaciones ininterrumpidas y procesamiento de alto volumen.
El bajo voltaje de funcionamiento de 1.1 V ayuda a reducir el consumo energético, haciendo de este módulo una elección eficiente para centros de datos que buscan reducir su huella energética sin sacrificar el rendimiento. Su diseño de 288 pines y la composición de componentes (2Gx8)x20 aseguran compatibilidad y rendimiento óptimo en servidores de última generación.
Elegir la memoria Samsung M321R4GA3EB0-CWM es invertir en tecnología de vanguardia para tu infraestructura de TI. Confiabilidad, rendimiento y eficiencia reunidos en un solo módulo de memoria de clase empresarial.
Principales características...
* Modelo: M321R4GA3EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
* Capacidad: 32Gb.
* Frecuencia: 5600MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí.
* Latencia CAS: CL46.
| Capacidad | 32 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | RDIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | ECC, 2Rx8, 288 pines, (2Gx8)x20, para servidores |
La memoria Samsung M321R4GA3EB0-CWM es una solución avanzada diseñada para los entornos de servidor más exigentes, brindando una combinación perfecta de rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Este módulo DDR5 RDIMM de 32 GB ofrece una velocidad de transferencia de hasta 5600 MHz, ideal para cargas de trabajo críticas como virtualización, bases de datos y procesamiento intensivo de datos.
Con soporte para corrección de errores ECC y una configuración de 2R x 8, garantiza una mayor estabilidad operativa y protección de los datos frente a errores. Su arquitectura robusta y compatibilidad con plataformas modernas lo convierten en una opción estratégica para entornos empresariales que requieren operaciones ininterrumpidas y procesamiento de alto volumen.
El bajo voltaje de funcionamiento de 1.1 V ayuda a reducir el consumo energético, haciendo de este módulo una elección eficiente para centros de datos que buscan reducir su huella energética sin sacrificar el rendimiento. Su diseño de 288 pines y la composición de componentes (2Gx8)x20 aseguran compatibilidad y rendimiento óptimo en servidores de última generación.
Elegir la memoria Samsung M321R4GA3EB0-CWM es invertir en tecnología de vanguardia para tu infraestructura de TI. Confiabilidad, rendimiento y eficiencia reunidos en un solo módulo de memoria de clase empresarial.
Principales características...
* Modelo: M321R4GA3EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
* Capacidad: 32Gb.
* Frecuencia: 5600MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí.
* Latencia CAS: CL46.
| Capacidad | 32 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | RDIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | ECC, 2Rx8, 288 pines, (2Gx8)x20, para servidores |
