Samsung 32Gb DDR5 5600Mhz 1.1V

Pn. M321R4GA3EB0-CWM
Samsung
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  • Modelo: M321R4GA3EB0-CWM.
  • Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
  • Capacidad: 32Gb.
  • Frecuencia: 5600MHz.
  • ECC (Error-Correcting Code): Sí.
  • Configuración Registrada: Sí.
  • Latencia CAS: CL46.

La memoria Samsung M321R4GA3EB0-CWM es una solución avanzada diseñada para los entornos de servidor más exigentes, brindando una combinación perfecta de rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Este módulo DDR5 RDIMM de 32 GB ofrece una velocidad de transferencia de hasta 5600 MHz, ideal para cargas de trabajo críticas como virtualización, bases de datos y procesamiento intensivo de datos.

Con soporte para corrección de errores ECC y una configuración de 2R x 8, garantiza una mayor estabilidad operativa y protección de los datos frente a errores. Su arquitectura robusta y compatibilidad con plataformas modernas lo convierten en una opción estratégica para entornos empresariales que requieren operaciones ininterrumpidas y procesamiento de alto volumen.

El bajo voltaje de funcionamiento de 1.1 V ayuda a reducir el consumo energético, haciendo de este módulo una elección eficiente para centros de datos que buscan reducir su huella energética sin sacrificar el rendimiento. Su diseño de 288 pines y la composición de componentes (2Gx8)x20 aseguran compatibilidad y rendimiento óptimo en servidores de última generación.

Elegir la memoria Samsung M321R4GA3EB0-CWM es invertir en tecnología de vanguardia para tu infraestructura de TI. Confiabilidad, rendimiento y eficiencia reunidos en un solo módulo de memoria de clase empresarial.

Principales características...

* Modelo: M321R4GA3EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
* Capacidad: 32Gb.
* Frecuencia: 5600MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí.
* Latencia CAS: CL46.

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