English 
Samsung 32Gb DDR5 5600Mhz 1.1V ECC
- Capacidad de 32 GB: Amplia capacidad para manejar cargas de trabajo intensivas.
- Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
- Registered DIMM (RDIMM): Mejora la estabilidad y fiabilidad del sistema.
- Corrección de errores ECC: Detecta y corrige errores de bits, asegurando la integridad de los datos.
- Configuración 2R x 8: Doble rango con organización x8 para mayor eficiencia.
- Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente.
- Compatibilidad con 2DPC: Soporta hasta 2 módulos por canal, ofreciendo flexibilidad en la configuración.
de garantía
asegurado
pago seguro
La memoria Samsung M321R4GA3PB0-CWM es una solución avanzada diseñada para optimizar el rendimiento de servidores y centros de datos. Con una capacidad de 32 GB y tecnología DDR5, ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps, asegurando una transferencia de datos rápida y eficiente. Su diseño Registered DIMM (RDIMM) incorpora un registro que mejora las señales de reloj, comando y control, garantizando una operación estable y confiable.
Esta memoria cuenta con corrección de errores ECC, que detecta y corrige errores de bits, proporcionando una mayor integridad de los datos y reduciendo el riesgo de fallos en aplicaciones críticas. Su configuración de doble rango (2R x 8) y organización x8 permite una mayor densidad y eficiencia en la gestión de datos, adaptándose a las demandas de sistemas modernos.
Operando a un voltaje de 1.1 V, la M321R4GA3PB0-CWM es energéticamente eficiente, contribuyendo a la reducción del consumo de energía en entornos de alto rendimiento. Su compatibilidad con configuraciones de hasta 2 módulos por canal (2DPC) la hace versátil para diversas arquitecturas de servidor.
Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu infraestructura de TI, la Samsung M321R4GA3PB0-CWM es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu sistema con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.
Principales Características...
* Capacidad de 32 GB: Amplia capacidad para manejar cargas de trabajo intensivas.
* Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* Registered DIMM (RDIMM): Mejora la estabilidad y fiabilidad del sistema.
* Corrección de errores ECC: Detecta y corrige errores de bits, asegurando la integridad de los datos.
* Configuración 2R x 8: Doble rango con organización x8 para mayor eficiencia.
* Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente.
* Compatibilidad con 2DPC: Soporta hasta 2 módulos por canal, ofreciendo flexibilidad en la configuración.
| Tipo | DDR5 |
| Formato | RDIMM |
| Registrada | Sí |
| Buffered | Sí |
| Capacidad | 32 GB |
| Velocidad | 5600 Mbps |
| Rank x Org | 2R x 8 |
| Composición | (2G x 8) x 20 |
| Nº de pines | 288 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Latencia CAS | CL46 |
La memoria Samsung M321R4GA3PB0-CWM es una solución avanzada diseñada para optimizar el rendimiento de servidores y centros de datos. Con una capacidad de 32 GB y tecnología DDR5, ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps, asegurando una transferencia de datos rápida y eficiente. Su diseño Registered DIMM (RDIMM) incorpora un registro que mejora las señales de reloj, comando y control, garantizando una operación estable y confiable.
Esta memoria cuenta con corrección de errores ECC, que detecta y corrige errores de bits, proporcionando una mayor integridad de los datos y reduciendo el riesgo de fallos en aplicaciones críticas. Su configuración de doble rango (2R x 8) y organización x8 permite una mayor densidad y eficiencia en la gestión de datos, adaptándose a las demandas de sistemas modernos.
Operando a un voltaje de 1.1 V, la M321R4GA3PB0-CWM es energéticamente eficiente, contribuyendo a la reducción del consumo de energía en entornos de alto rendimiento. Su compatibilidad con configuraciones de hasta 2 módulos por canal (2DPC) la hace versátil para diversas arquitecturas de servidor.
Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu infraestructura de TI, la Samsung M321R4GA3PB0-CWM es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu sistema con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.
Principales Características...
* Capacidad de 32 GB: Amplia capacidad para manejar cargas de trabajo intensivas.
* Tecnología DDR5: Ofrece velocidades de hasta 5600 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* Registered DIMM (RDIMM): Mejora la estabilidad y fiabilidad del sistema.
* Corrección de errores ECC: Detecta y corrige errores de bits, asegurando la integridad de los datos.
* Configuración 2R x 8: Doble rango con organización x8 para mayor eficiencia.
* Voltaje de 1.1 V: Operación energéticamente eficiente.
* Compatibilidad con 2DPC: Soporta hasta 2 módulos por canal, ofreciendo flexibilidad en la configuración.
| Tipo | DDR5 |
| Formato | RDIMM |
| Registrada | Sí |
| Buffered | Sí |
| Capacidad | 32 GB |
| Velocidad | 5600 Mbps |
| Rank x Org | 2R x 8 |
| Composición | (2G x 8) x 20 |
| Nº de pines | 288 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Latencia CAS | CL46 |
