Samsung 16Gb So-DIMM DDR5 5600Mhz 1.1V CL46

La memoria Samsung M425R2GA3EB0-CWM está diseñada para ofrecer un rendimiento de nueva generación y una alta eficiencia energética en portátiles y sistemas compactos. Con 16GB de memoria DDR5, proporciona una experiencia fluida en multitarea y aplicaciones exigentes.

Gracias a su velocidad de 5600MHz, este módulo SO-DIMM mejora notablemente el ancho de banda y la capacidad de respuesta del sistema frente a generaciones anteriores. Su bajo voltaje de funcionamiento de 1.1V ayuda a reducir el consumo energético y la generación de calor.

La arquitectura Single Rank 1Rx8 y el cumplimiento de los estándares JEDEC garantizan una amplia compatibilidad y un funcionamiento estable a largo plazo. La latencia CL46 asegura un rendimiento equilibrado para uso profesional y cotidiano.

Fabricada en producción masiva bajo los estándares de calidad de Samsung, esta memoria DDR5 de 16GB es una opción fiable y duradera para ampliar portátiles y equipos de pequeño formato con total confianza.

Principales características...

* Modelo: M425R2GA3EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
* Capacidad: 16GB.
* Frecuencia: 5600MHz.
* Latencia CAS: CL46.
* Voltaje: 1.1V.
* Diseño Single Rank 1Rx8.