English 
Samsung 16Gb So-DIMM DDR5 5600Mhz 1.1V M425R2GA3BB0-CWM
- Capacidad: 16GB.
- Velocidad: 5600 MHz.
- Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
- Corrección de Errores: Non-ECC.
- Voltaje: 1.1V.
- Número de Pines: 262.
- Organización: 1Rx8.
personalizada
asegurado
pago seguro
La memoria Samsung M425R2GA3BB0-CWM es un módulo SO-DIMM DDR5 de 16GB diseñado específicamente para laptops y sistemas compactos que requieren un alto rendimiento. Este módulo opera a una velocidad de 5600 MHz, proporcionando un rendimiento superior y una mayor capacidad de respuesta para aplicaciones exigentes y multitarea. Su formato SO-DIMM de 262 pines y diseño compacto lo hacen ideal para dispositivos con limitaciones de espacio.
Además de su alta velocidad, esta memoria funciona con un voltaje bajo de 1.1V, lo que ayuda a reducir el consumo de energía y a mantener una eficiencia energética óptima. La organización del módulo es 1Rx8, lo que asegura un rendimiento estable y confiable. Este módulo no cuenta con corrección de errores (Non-ECC), lo que lo hace adecuado para aplicaciones que no requieren esta funcionalidad.
Principales Características...
* Capacidad: 16GB.
* Velocidad: 5600 MHz.
* Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
* Corrección de Errores: Non-ECC.
* Voltaje: 1.1V.
* Número de Pines: 262.
* Organización: 1Rx8.
| Modelo | M425R2GA3BB0-CWM |
| Capacidad | 16GB |
| Tipo de Memoria | DDR5 |
| Velocidad | 5600 MHz |
| Voltaje | 1.1V |
| Corrección de Errores | Non-ECC |
| Tipo de Módulo | SO-DIMM |
| Número de Pines | 262 |
| Organización | 1Rx8 |
| Composición del Componente | (2G x 8) x 8 |
| Latencia CAS | 46 |
La memoria Samsung M425R2GA3BB0-CWM es un módulo SO-DIMM DDR5 de 16GB diseñado específicamente para laptops y sistemas compactos que requieren un alto rendimiento. Este módulo opera a una velocidad de 5600 MHz, proporcionando un rendimiento superior y una mayor capacidad de respuesta para aplicaciones exigentes y multitarea. Su formato SO-DIMM de 262 pines y diseño compacto lo hacen ideal para dispositivos con limitaciones de espacio.
Además de su alta velocidad, esta memoria funciona con un voltaje bajo de 1.1V, lo que ayuda a reducir el consumo de energía y a mantener una eficiencia energética óptima. La organización del módulo es 1Rx8, lo que asegura un rendimiento estable y confiable. Este módulo no cuenta con corrección de errores (Non-ECC), lo que lo hace adecuado para aplicaciones que no requieren esta funcionalidad.
Principales Características...
* Capacidad: 16GB.
* Velocidad: 5600 MHz.
* Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
* Corrección de Errores: Non-ECC.
* Voltaje: 1.1V.
* Número de Pines: 262.
* Organización: 1Rx8.
| Modelo | M425R2GA3BB0-CWM |
| Capacidad | 16GB |
| Tipo de Memoria | DDR5 |
| Velocidad | 5600 MHz |
| Voltaje | 1.1V |
| Corrección de Errores | Non-ECC |
| Tipo de Módulo | SO-DIMM |
| Número de Pines | 262 |
| Organización | 1Rx8 |
| Composición del Componente | (2G x 8) x 8 |
| Latencia CAS | 46 |
