Samsung 16Gb SO-DIMM DDR4 3200Mhz 1.2V
Samsung 16Gb SO-DIMM DDR4 3200Mhz 1.2V
- Diseño de memoria: 1 x 16Gb.
- Velocidad de memoria de reloj: 3200 MHz.
- Tipo de memoria interna: so-dimm DDR4.
- ECC: Si.
- Voltaje de la memoria: 1.2 V.
P/N: M471A2K43DB1-CWE
103,57 € Sin IVA
125,32 € Con IVA
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Samsung M471A2K43DB1-CWE módulo de memoria 16 GB 1 x 16 GB DDR4 3200 MHz
Principales Características...
* Diseño de memoria: 1 x 16Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 3200 MHz.
* Tipo de memoria interna: so-dimm DDR4.
* ECC: Si.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.
Latencia CAS | 21 |
Memoria interna | 8 GB |
Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
Tipo de memoria interna | DDR4 |
Velocidad de memoria del reloj | 2933 MHz |
Componente para | PC/server |
Forma de factor de memoria | 288-pin DIMM |
Tipo de memoria con búfer | Registered (buffered) |
ECC | Si |
Clasificación de memoria | 1 |
Voltaje de memoria | 1.2 |
Samsung M471A2K43DB1-CWE módulo de memoria 16 GB 1 x 16 GB DDR4 3200 MHz
Principales Características...
* Diseño de memoria: 1 x 16Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 3200 MHz.
* Tipo de memoria interna: so-dimm DDR4.
* ECC: Si.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.
Latencia CAS | 21 |
Memoria interna | 8 GB |
Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
Tipo de memoria interna | DDR4 |
Velocidad de memoria del reloj | 2933 MHz |
Componente para | PC/server |
Forma de factor de memoria | 288-pin DIMM |
Tipo de memoria con búfer | Registered (buffered) |
ECC | Si |
Clasificación de memoria | 1 |
Voltaje de memoria | 1.2 |
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