
- Diseño de memoria: 1 x 16Gb.
- Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
- Tipo de memoria interna: so-dimm DDR4.
- ECC: No.
- Voltaje de la memoria: 1.2 V.
Samsung - DDR4 - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC).
Principales Características...
* Diseño de memoria: 1 x 16Gb.
* Velocidad de memoria de reloj: 2666 MHz.
* Tipo de memoria interna: so-dimm DDR4.
* ECC: No.
* Voltaje de la memoria: 1.2 V.
Precio a petición El precio que se muestra es orientativo y no vinculante
El producto no está disponibleEl precio que se muestra es orientativo y no vinculante
