Samsung 16Gb SO-DIMM DDR4 2666Mhz 1.2V

Samsung 16Gb SO-DIMM DDR4 2666Mhz 1.2V

Samsung
  • Memory design: 1 x 16Gb.
  • Memory Clock Speed: 2666 MHz.
  • Internal memory type: so-dimm DDR4.
  • ECC: No.
  • Memory voltage: 1.2 V.

P/N: M471A2K43CB1-CTD

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Samsung - DDR4 - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC)

Highlights..

* Memory design: 1 x 16Gb.
* Memory clock speed: 2666 MHz.
* Internal memory type: so-dimm DDR4.
* ECC: No.
* Memory voltage: 1.2 V.

Memoria interna 16  GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 16  GB
Tipo de memoria interna DDR4  
Velocidad de memoria del reloj 2666  MHz
Componente para PC/server  
Forma de factor de memoria 260- pin SO-DIMM  
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)  
ECC Si  
Latencia CAS 19
Voltaje de memoria 1.2  V

Samsung - DDR4 - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC)

Highlights..

* Memory design: 1 x 16Gb.
* Memory clock speed: 2666 MHz.
* Internal memory type: so-dimm DDR4.
* ECC: No.
* Memory voltage: 1.2 V.

Memoria interna 16  GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 16  GB
Tipo de memoria interna DDR4  
Velocidad de memoria del reloj 2666  MHz
Componente para PC/server  
Forma de factor de memoria 260- pin SO-DIMM  
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)  
ECC Si  
Latencia CAS 19
Voltaje de memoria 1.2  V