Samsung 16Gb DDR5 5600Mhz 1.1V M323R2GA3PB0-CWM

La memoria Samsung M323R2GA3PB0-CWM es un módulo DDR5 UDIMM diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en entornos domésticos y profesionales. Con una capacidad de 16 GB, garantiza una transferencia de datos ultra rápida con velocidades de hasta 5600 Mbps, ideal para tareas exigentes como edición de video, juegos y multitarea.

Fabricada con tecnología de última generación, esta memoria cuenta con una configuración 1R x 8 para mayor eficiencia y organización en la gestión de datos. Su operación a un bajo voltaje de 1.1 V mejora la eficiencia energética, reduciendo el consumo de energía y la generación de calor.

Este módulo destaca por su diseño sin búfer, lo que garantiza latencias reducidas y tiempos de respuesta óptimos. Su latencia CAS CL46 asegura un rendimiento consistente incluso bajo cargas de trabajo intensivas, adaptándose a las demandas de sistemas modernos.

Optimiza tu sistema con la Samsung M323R2GA3PB0-CWM y experimenta la velocidad y estabilidad que necesitas. Integra este módulo en tu equipo y lleva tu productividad al siguiente nivel.

Principales Características...

* Capacidad de 16 GB: Ideal para mejorar el rendimiento multitarea.
* Tecnología DDR5: Velocidad de hasta 5600 Mbps.
* Diseño UDIMM: Sin búfer para tiempos de respuesta rápidos.
* Configuración 1R x 8: Organización eficiente de datos.
* Latencia CAS CL46: Rendimiento consistente en tareas intensivas.
* Voltaje de 1.1 V: Eficiencia energética superior.
* Compatibilidad amplia: Integración sencilla con placas base DDR5.