Samsung 16Gb DDR5 5600Mhz 1.1V M321R2GA3EB0-CWM

Samsung 16Gb DDR5 5600Mhz 1.1V M321R2GA3EB0-CWM

Samsung
  • Modelo: M321R2GA3EB0-CWM.
  • Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
  • Capacidad: 16Gb.
  • Frecuencia: 5600MHz.
  • ECC (Error-Correcting Code): Sí.
  • Configuración Registrada: Sí.
  • Latencia CAS: CL46.

P/N: M321R2GA3EB0-CWM

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La memoria Samsung M321R2GA3EB0-CWM ofrece un rendimiento excepcional para sistemas de servidor que requieren estabilidad, velocidad y eficiencia energética. Este módulo DDR5 RDIMM de 16 GB ha sido desarrollado para satisfacer las exigencias de entornos empresariales de alta demanda, donde la confiabilidad y la capacidad de procesamiento son prioritarias.

Con una frecuencia de 5600 MHz y tecnología ECC integrada, garantiza una transmisión de datos precisa y segura, corrigiendo automáticamente errores en tiempo real. Esta característica lo convierte en la opción ideal para aplicaciones críticas como virtualización, bases de datos y servicios en la nube, donde la integridad de la información es fundamental.

Gracias a su bajo voltaje de 1.1 V, el módulo ayuda a reducir el consumo energético sin sacrificar rendimiento. Además, su configuración de 1R x 8 y su diseño con 288 pines aseguran compatibilidad con una amplia gama de plataformas de servidor de última generación, permitiendo una integración fluida y sin complicaciones.

Invertir en la memoria Samsung M321R2GA3EB0-CWM es apostar por un componente de alta calidad, respaldado por una marca líder en tecnología de semiconductores. Optimiza tu infraestructura con un producto que garantiza durabilidad, velocidad y seguridad para el presente y el futuro de tu empresa.

Principales características...

* Modelo: M321R2GA3EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
* Capacidad: 16Gb.
* Frecuencia: 5600MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí.
* Latencia CAS: CL46.

Capacidad 16 GB
Tipo DDR5
Frecuencia 5600 MHz
Tipo de módulo RDIMM
Latencia CAS CL46
Voltaje 1.1 V
Características ECC, 1Rx8, 288 pines, (2Gx8)x10, para servidores

La memoria Samsung M321R2GA3EB0-CWM ofrece un rendimiento excepcional para sistemas de servidor que requieren estabilidad, velocidad y eficiencia energética. Este módulo DDR5 RDIMM de 16 GB ha sido desarrollado para satisfacer las exigencias de entornos empresariales de alta demanda, donde la confiabilidad y la capacidad de procesamiento son prioritarias.

Con una frecuencia de 5600 MHz y tecnología ECC integrada, garantiza una transmisión de datos precisa y segura, corrigiendo automáticamente errores en tiempo real. Esta característica lo convierte en la opción ideal para aplicaciones críticas como virtualización, bases de datos y servicios en la nube, donde la integridad de la información es fundamental.

Gracias a su bajo voltaje de 1.1 V, el módulo ayuda a reducir el consumo energético sin sacrificar rendimiento. Además, su configuración de 1R x 8 y su diseño con 288 pines aseguran compatibilidad con una amplia gama de plataformas de servidor de última generación, permitiendo una integración fluida y sin complicaciones.

Invertir en la memoria Samsung M321R2GA3EB0-CWM es apostar por un componente de alta calidad, respaldado por una marca líder en tecnología de semiconductores. Optimiza tu infraestructura con un producto que garantiza durabilidad, velocidad y seguridad para el presente y el futuro de tu empresa.

Principales características...

* Modelo: M321R2GA3EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
* Capacidad: 16Gb.
* Frecuencia: 5600MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí.
* Latencia CAS: CL46.

Capacidad 16 GB
Tipo DDR5
Frecuencia 5600 MHz
Tipo de módulo RDIMM
Latencia CAS CL46
Voltaje 1.1 V
Características ECC, 1Rx8, 288 pines, (2Gx8)x10, para servidores


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