English Samsung 16Gb DDR4 3200Mhz 1.2V ECC
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Samsung 16Gb DDR4 3200Mhz 1.2V ECC
- Capacidad de almacenamiento: 16 gb
- Tecnología de memoria: Ddr4 Sdram
- Número de módulos: 1 X
- Velocidad de bus: 3200 mhz Ddr4-25600 / pc4- 3200
- Comprobación de integridad de datos: Ecc
- Tiempos de latencia Cas registrados : Cl22
- Características de rango: 2rx8
P/N: M393A2K43DB3-CWE - EAN/UPC: 7640143876945
77,70 € Sin IVA
94,02 € Con IVA
Entrega aproximada entre el 25 diciembre y el 26 diciembre
3 años
de garantía
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SAMSUNG M393A2K43DB3-CWE 16gb (1x16gb) 3200mhz Pc4-25600 Cl22 Ecc Módulo de memoria Rdimm registrado de doble rango X8 1.2v Ddr4 Sdram de 288 pines para servidor
Principales Características...
* Capacidad de almacenamiento: 16 gb.
* Tecnología de memoria: Ddr4 Sdram.
* Velocidad de bus: 3200 mhz Ddr4-25600 / pc4- 3200.
* Comprobación de integridad de datos: Ecc
* Características de rango: 2rx8.
| Memoria interna: | 16 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño): | 1 x 16 GB |
| Tipo de memoria interna: | DDR4 |
| Velocidad de memoria del reloj: | 3200 MHz |
| Componente para: | PC/servidor |
| Forma de factor de memoria: | 288-pin DIMM |
| Tipo de memoria con búfer: | Registered (buffered) |
| ECC: | Si |
| Latencia CAS: | 22 |
| Clasificación de memoria: | 2 |
| Voltaje de memoria: | 1.2 V |
SAMSUNG M393A2K43DB3-CWE 16gb (1x16gb) 3200mhz Pc4-25600 Cl22 Ecc Módulo de memoria Rdimm registrado de doble rango X8 1.2v Ddr4 Sdram de 288 pines para servidor
Principales Características...
* Capacidad de almacenamiento: 16 gb.
* Tecnología de memoria: Ddr4 Sdram.
* Velocidad de bus: 3200 mhz Ddr4-25600 / pc4- 3200.
* Comprobación de integridad de datos: Ecc
* Características de rango: 2rx8.
| Memoria interna: | 16 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño): | 1 x 16 GB |
| Tipo de memoria interna: | DDR4 |
| Velocidad de memoria del reloj: | 3200 MHz |
| Componente para: | PC/servidor |
| Forma de factor de memoria: | 288-pin DIMM |
| Tipo de memoria con búfer: | Registered (buffered) |
| ECC: | Si |
| Latencia CAS: | 22 |
| Clasificación de memoria: | 2 |
| Voltaje de memoria: | 1.2 V |
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