Samsung 16Gb DDR4 3200Mhz 1.2V
- Capacidad de 16 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
- Tecnología DDR4: Ofrece velocidades de hasta 3200 Mbps para una transferencia de datos rápida.
- Unbuffered DIMM (UDIMM): Garantiza una latencia reducida y acceso rápido a la memoria.
- Voltaje de 1.2 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
- Configuración 1R x 8: Single Rank con organización x8 para una gestión eficiente de los datos.
- Latencia CAS CL22: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
- Compatibilidad amplia: Compatible con placas base que soportan DDR4, facilitando su integración.
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La memoria Samsung M378A2G43CB3-CWE es un módulo DDR4 UDIMM de 16 GB, diseñado para mejorar el rendimiento de sistemas de escritorio y estaciones de trabajo. Con una velocidad de transferencia de hasta 3200 Mbps, garantiza una respuesta rápida y eficiente en aplicaciones exigentes como edición de video, juegos y multitarea intensiva.
Este módulo opera a un voltaje de 1.2 V, lo que contribuye a una mayor eficiencia energética y menor generación de calor, prolongando la vida útil del hardware. La configuración de 1R x 8 (Single Rank x8) permite una gestión eficiente de los datos, mejorando la estabilidad y el rendimiento general del sistema.
La Samsung M378A2G43CB3-CWE es compatible con una amplia gama de placas base que soportan DDR4, facilitando su integración en sistemas existentes o nuevos. Su diseño sin búfer la hace adecuada para aplicaciones que requieren acceso rápido a la memoria, como juegos, edición de video y tareas de diseño gráfico.
Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu sistema, la Samsung M378A2G43CB3-CWE es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu equipo con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.
Principales Características...
* Capacidad de 16 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
* Tecnología DDR4: Ofrece velocidades de hasta 3200 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* Unbuffered DIMM (UDIMM): Garantiza una latencia reducida y acceso rápido a la memoria.
* Voltaje de 1.2 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
* Configuración 1R x 8: Single Rank con organización x8 para una gestión eficiente de los datos.
* Latencia CAS CL22: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
* Compatibilidad amplia: Compatible con placas base que soportan DDR4, facilitando su integración.
Tipo | DDR4 |
Formato | DIMM |
Capacidad | 16 GB |
Velocidad | 3200 Mbps |
Rank x Organización | 1R x 8 |
Composición | (2G x 8) x 8 |
Número de pines | 288 |
Voltaje | 1.2 V |
Latencia CAS | CL22 |
La memoria Samsung M378A2G43CB3-CWE es un módulo DDR4 UDIMM de 16 GB, diseñado para mejorar el rendimiento de sistemas de escritorio y estaciones de trabajo. Con una velocidad de transferencia de hasta 3200 Mbps, garantiza una respuesta rápida y eficiente en aplicaciones exigentes como edición de video, juegos y multitarea intensiva.
Este módulo opera a un voltaje de 1.2 V, lo que contribuye a una mayor eficiencia energética y menor generación de calor, prolongando la vida útil del hardware. La configuración de 1R x 8 (Single Rank x8) permite una gestión eficiente de los datos, mejorando la estabilidad y el rendimiento general del sistema.
La Samsung M378A2G43CB3-CWE es compatible con una amplia gama de placas base que soportan DDR4, facilitando su integración en sistemas existentes o nuevos. Su diseño sin búfer la hace adecuada para aplicaciones que requieren acceso rápido a la memoria, como juegos, edición de video y tareas de diseño gráfico.
Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu sistema, la Samsung M378A2G43CB3-CWE es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu equipo con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.
Principales Características...
* Capacidad de 16 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
* Tecnología DDR4: Ofrece velocidades de hasta 3200 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* Unbuffered DIMM (UDIMM): Garantiza una latencia reducida y acceso rápido a la memoria.
* Voltaje de 1.2 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
* Configuración 1R x 8: Single Rank con organización x8 para una gestión eficiente de los datos.
* Latencia CAS CL22: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
* Compatibilidad amplia: Compatible con placas base que soportan DDR4, facilitando su integración.
Tipo | DDR4 |
Formato | DIMM |
Capacidad | 16 GB |
Velocidad | 3200 Mbps |
Rank x Organización | 1R x 8 |
Composición | (2G x 8) x 8 |
Número de pines | 288 |
Voltaje | 1.2 V |
Latencia CAS | CL22 |