Samsung 16Gb DDR4 3200Mhz 1.2V

Samsung 16Gb DDR4 3200Mhz 1.2V

Samsung
  • Capacidad de 16 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
  • Tecnología DDR4: Ofrece velocidades de hasta 3200 Mbps para una transferencia de datos rápida.
  • Unbuffered DIMM (UDIMM): Garantiza una latencia reducida y acceso rápido a la memoria.
  • Voltaje de 1.2 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
  • Configuración 1R x 8: Single Rank con organización x8 para una gestión eficiente de los datos.
  • Latencia CAS CL22: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
  • Compatibilidad amplia: Compatible con placas base que soportan DDR4, facilitando su integración.

P/N: M378A2G43CB3-CWE

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La memoria Samsung M378A2G43CB3-CWE es un módulo DDR4 UDIMM de 16 GB, diseñado para mejorar el rendimiento de sistemas de escritorio y estaciones de trabajo. Con una velocidad de transferencia de hasta 3200 Mbps, garantiza una respuesta rápida y eficiente en aplicaciones exigentes como edición de video, juegos y multitarea intensiva.

Este módulo opera a un voltaje de 1.2 V, lo que contribuye a una mayor eficiencia energética y menor generación de calor, prolongando la vida útil del hardware. La configuración de 1R x 8 (Single Rank x8) permite una gestión eficiente de los datos, mejorando la estabilidad y el rendimiento general del sistema.

La Samsung M378A2G43CB3-CWE es compatible con una amplia gama de placas base que soportan DDR4, facilitando su integración en sistemas existentes o nuevos. Su diseño sin búfer la hace adecuada para aplicaciones que requieren acceso rápido a la memoria, como juegos, edición de video y tareas de diseño gráfico.

Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu sistema, la Samsung M378A2G43CB3-CWE es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu equipo con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.

Principales Características...

* Capacidad de 16 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
* Tecnología DDR4: Ofrece velocidades de hasta 3200 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* Unbuffered DIMM (UDIMM): Garantiza una latencia reducida y acceso rápido a la memoria.
* Voltaje de 1.2 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
* Configuración 1R x 8: Single Rank con organización x8 para una gestión eficiente de los datos.
* Latencia CAS CL22: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
* Compatibilidad amplia: Compatible con placas base que soportan DDR4, facilitando su integración.

Tipo DDR4
Formato DIMM
Capacidad 16 GB
Velocidad 3200 Mbps
Rank x Organización 1R x 8
Composición (2G x 8) x 8
Número de pines 288
Voltaje 1.2 V
Latencia CAS CL22

La memoria Samsung M378A2G43CB3-CWE es un módulo DDR4 UDIMM de 16 GB, diseñado para mejorar el rendimiento de sistemas de escritorio y estaciones de trabajo. Con una velocidad de transferencia de hasta 3200 Mbps, garantiza una respuesta rápida y eficiente en aplicaciones exigentes como edición de video, juegos y multitarea intensiva.

Este módulo opera a un voltaje de 1.2 V, lo que contribuye a una mayor eficiencia energética y menor generación de calor, prolongando la vida útil del hardware. La configuración de 1R x 8 (Single Rank x8) permite una gestión eficiente de los datos, mejorando la estabilidad y el rendimiento general del sistema.

La Samsung M378A2G43CB3-CWE es compatible con una amplia gama de placas base que soportan DDR4, facilitando su integración en sistemas existentes o nuevos. Su diseño sin búfer la hace adecuada para aplicaciones que requieren acceso rápido a la memoria, como juegos, edición de video y tareas de diseño gráfico.

Si buscas mejorar la capacidad y velocidad de tu sistema, la Samsung M378A2G43CB3-CWE es una opción ideal que combina rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética. Actualiza tu equipo con esta memoria de última generación y lleva tus operaciones al siguiente nivel.

Principales Características...

* Capacidad de 16 GB: Adecuada para mejorar el rendimiento en tareas multitarea.
* Tecnología DDR4: Ofrece velocidades de hasta 3200 Mbps para una transferencia de datos rápida.
* Unbuffered DIMM (UDIMM): Garantiza una latencia reducida y acceso rápido a la memoria.
* Voltaje de 1.2 V: Operación energéticamente eficiente, reduciendo el consumo de energía.
* Configuración 1R x 8: Single Rank con organización x8 para una gestión eficiente de los datos.
* Latencia CAS CL22: Proporciona tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones exigentes.
* Compatibilidad amplia: Compatible con placas base que soportan DDR4, facilitando su integración.

Tipo DDR4
Formato DIMM
Capacidad 16 GB
Velocidad 3200 Mbps
Rank x Organización 1R x 8
Composición (2G x 8) x 8
Número de pines 288
Voltaje 1.2 V
Latencia CAS CL22


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