Samsung 16Gb DDR4 2666Mhz RDIMM 1.2V ECC

Samsung 16Gb DDR4 2666Mhz RDIMM 1.2V ECC

Samsung
  • Memoria Interna: 16Gb.
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB.
  • Tipo de memoria: DDR4.
  • Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz.
  • Formato: RDIMM.
  • Latencia CAS: 19.
  • ECC.

P/N: M393A2K40CB2-CTD - EAN/UPC: 8435280903093

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Los módulos de memoria de Samsung están diseñados para una amplía gama de aplicaciones, para ofrecer elmejor rendimiento con bajos requisitos de energía.

Incluye un registro para mejorar las señales de reloj, comando y control Admite organización x4 / x8 / hasta 2 rangos por configuración DIMM y 3DPC Corrección de errores disponible mediante señales de paridad de 8 bits adicionales.

Principales Características...

* Memoria Interna: 16Gb.
* Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB.
* Tipo de memoria: DDR4.
* Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz.
* Formato: RDIMM.
* Latencia CAS: 19.
* ECC.

Tipo DDR4
Formato RDIMM
Capacidad 16Gb
Velocidad 2666 Mhz
Rank x Org 1R x4
Composición (2G x 4) x 18
Nº de Pin 288
Voltaje 1.2V
Latencia CAS 19

Los módulos de memoria de Samsung están diseñados para una amplía gama de aplicaciones, para ofrecer elmejor rendimiento con bajos requisitos de energía.

Incluye un registro para mejorar las señales de reloj, comando y control Admite organización x4 / x8 / hasta 2 rangos por configuración DIMM y 3DPC Corrección de errores disponible mediante señales de paridad de 8 bits adicionales.

Principales Características...

* Memoria Interna: 16Gb.
* Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB.
* Tipo de memoria: DDR4.
* Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz.
* Formato: RDIMM.
* Latencia CAS: 19.
* ECC.

Tipo DDR4
Formato RDIMM
Capacidad 16Gb
Velocidad 2666 Mhz
Rank x Org 1R x4
Composición (2G x 4) x 18
Nº de Pin 288
Voltaje 1.2V
Latencia CAS 19


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