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Memoria - Hynix 8Gb So-DIMM DDR5 4800Mhz 1.1V
- Modelo: HMCG66MEBSA092N.
- Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
- Capacidad: 8GB.
- Frecuencia: 4800MHz.
- ECC: No.
- Configuración: Single Rank 1Rx16.
- Latencia CAS: CL40.
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La memoria Hynix HMCG66MEBSA092N de 8GB DDR5 está diseñada para portátiles de nueva generación que requieren un rendimiento más rápido y estable. Su velocidad de 4800MHz ofrece un ancho de banda notablemente superior al estándar DDR4, mejorando la capacidad de respuesta en aplicaciones y multitarea.
Gracias a su latencia CL40 y su bajo voltaje de 1.1V, este módulo proporciona un equilibrio sobresaliente entre rendimiento y eficiencia energética. Esto se traduce en temperaturas más bajas y un funcionamiento estable incluso en equipos compactos.
Su diseño SO-DIMM y la arquitectura Single Rank 1Rx16 garantizan una amplia compatibilidad con plataformas modernas, asegurando una instalación sencilla y un comportamiento fiable en diferentes configuraciones portátiles. Hynix es reconocida por ofrecer memoria de alta calidad, con componentes duraderos y un rendimiento consistente.
Actualizar un portátil con este módulo DDR5 de 8GB permite disfrutar de tiempos de carga más rápidos, mayor fluidez en tareas del día a día y una experiencia informática más ágil. Es una opción ideal para quienes buscan dar un salto de rendimiento sin cambiar de equipo.
Principales características...
* Modelo: HMCG66MEBSA092N.
* Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
* Capacidad: 8GB.
* Frecuencia: 4800MHz.
* ECC: No.
* Configuración: Single Rank 1Rx16.
* Latencia CAS: CL40.
| Capacidad | 8 GB |
| Tipo | DDR5 SDRAM |
| Frecuencia | 4800 MHz (PC5-38400) |
| Tipo de módulo | SO-DIMM (Small Outline DIMM) |
| Latencia CAS | CL40 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | Non-ECC, Single Rank x16 (1Rx16), 262 pines |
La memoria Hynix HMCG66MEBSA092N de 8GB DDR5 está diseñada para portátiles de nueva generación que requieren un rendimiento más rápido y estable. Su velocidad de 4800MHz ofrece un ancho de banda notablemente superior al estándar DDR4, mejorando la capacidad de respuesta en aplicaciones y multitarea.
Gracias a su latencia CL40 y su bajo voltaje de 1.1V, este módulo proporciona un equilibrio sobresaliente entre rendimiento y eficiencia energética. Esto se traduce en temperaturas más bajas y un funcionamiento estable incluso en equipos compactos.
Su diseño SO-DIMM y la arquitectura Single Rank 1Rx16 garantizan una amplia compatibilidad con plataformas modernas, asegurando una instalación sencilla y un comportamiento fiable en diferentes configuraciones portátiles. Hynix es reconocida por ofrecer memoria de alta calidad, con componentes duraderos y un rendimiento consistente.
Actualizar un portátil con este módulo DDR5 de 8GB permite disfrutar de tiempos de carga más rápidos, mayor fluidez en tareas del día a día y una experiencia informática más ágil. Es una opción ideal para quienes buscan dar un salto de rendimiento sin cambiar de equipo.
Principales características...
* Modelo: HMCG66MEBSA092N.
* Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
* Capacidad: 8GB.
* Frecuencia: 4800MHz.
* ECC: No.
* Configuración: Single Rank 1Rx16.
* Latencia CAS: CL40.
| Capacidad | 8 GB |
| Tipo | DDR5 SDRAM |
| Frecuencia | 4800 MHz (PC5-38400) |
| Tipo de módulo | SO-DIMM (Small Outline DIMM) |
| Latencia CAS | CL40 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | Non-ECC, Single Rank x16 (1Rx16), 262 pines |
