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Hynix 8Gb DDR5 4800Mhz 1.1V ECC
- Modelo: HMCG66MEBUA081N.
- Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
- Capacidad: 8GB.
- Frecuencia: 4800MHz.
- Voltaje: 1.1V.
- On-Die ECC: Sí.
- Latencia CAS: CL40.
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| Tipo de memoria | |
| Frecuencia memoria | |
| Voltaje | |
| Tamaño de memoria | |
| Latencia | |
| ECC |
La memoria Hynix HMCG66MEBUA081N está diseñada para ofrecer un rendimiento confiable y eficiente en estaciones de trabajo y PC de alto rendimiento, utilizando tecnología DDR5 que incrementa la velocidad y el ancho de banda frente a generaciones anteriores. Con una capacidad de 8GB y frecuencia de 4800MHz, este módulo asegura una gestión ágil de las cargas de trabajo cotidianas y de aplicaciones que requieren alta capacidad de respuesta.
Gracias a su bajo voltaje de operación de 1.1V, contribuye a una reducción en el consumo energético de tu sistema, manteniendo al mismo tiempo un rendimiento estable y temperaturas de funcionamiento controladas, ideal para mantener operativos sistemas de trabajo prolongado sin comprometer la eficiencia.
La Hynix HMCG66MEBUA081N incluye tecnología On-Die ECC para la corrección de errores en tiempo real, asegurando la integridad de los datos y la fiabilidad durante largas sesiones de trabajo. Esto la convierte en una opción ideal tanto para tareas de productividad como para entornos de edición de contenido y cálculo intensivo.
Al incorporar este módulo DDR5 de 8GB a tu configuración, no solo amplías el rendimiento de tu sistema, sino que también garantizas una infraestructura preparada para las demandas de software actuales y futuras, mejorando la estabilidad y la rapidez de tu PC con la calidad de SK Hynix.
Principales características...
* Modelo: HMCG66MEBUA081N.
* Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
* Capacidad: 8GB.
* Frecuencia: 4800MHz.
* Voltaje: 1.1V.
* On-Die ECC: Sí.
* Latencia CAS: CL40.
| Capacidad | 8GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 4800MHz |
| Tipo de módulo | UDIMM |
| Latencia CAS | CL40 |
| Voltaje | 1.1V |
| Características | On-Die ECC, 16Gb M-die, rendimiento estable, eficiencia energética |
La memoria Hynix HMCG66MEBUA081N está diseñada para ofrecer un rendimiento confiable y eficiente en estaciones de trabajo y PC de alto rendimiento, utilizando tecnología DDR5 que incrementa la velocidad y el ancho de banda frente a generaciones anteriores. Con una capacidad de 8GB y frecuencia de 4800MHz, este módulo asegura una gestión ágil de las cargas de trabajo cotidianas y de aplicaciones que requieren alta capacidad de respuesta.
Gracias a su bajo voltaje de operación de 1.1V, contribuye a una reducción en el consumo energético de tu sistema, manteniendo al mismo tiempo un rendimiento estable y temperaturas de funcionamiento controladas, ideal para mantener operativos sistemas de trabajo prolongado sin comprometer la eficiencia.
La Hynix HMCG66MEBUA081N incluye tecnología On-Die ECC para la corrección de errores en tiempo real, asegurando la integridad de los datos y la fiabilidad durante largas sesiones de trabajo. Esto la convierte en una opción ideal tanto para tareas de productividad como para entornos de edición de contenido y cálculo intensivo.
Al incorporar este módulo DDR5 de 8GB a tu configuración, no solo amplías el rendimiento de tu sistema, sino que también garantizas una infraestructura preparada para las demandas de software actuales y futuras, mejorando la estabilidad y la rapidez de tu PC con la calidad de SK Hynix.
Principales características...
* Modelo: HMCG66MEBUA081N.
* Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
* Capacidad: 8GB.
* Frecuencia: 4800MHz.
* Voltaje: 1.1V.
* On-Die ECC: Sí.
* Latencia CAS: CL40.
| Capacidad | 8GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 4800MHz |
| Tipo de módulo | UDIMM |
| Latencia CAS | CL40 |
| Voltaje | 1.1V |
| Características | On-Die ECC, 16Gb M-die, rendimiento estable, eficiencia energética |
